并非所有光電二極管模型都完全相同，但四個元件的外觀一致：電流源、并聯(lián)電容器、并聯(lián)電阻器和串聯(lián)電阻器，以及由二極管符號表示的正常 pn 結(jié)。

    光電流
    理想電流源（IPD ）代表光電流，即二極管響應(yīng)入射光而產(chǎn)生的電流。請注意，光電流的方向?qū)?yīng)于從二極管的陰極流向二極管的陽極的電流，這是一個很好的提醒，光電二極管在零偏壓或反向偏壓下使用，并且它們產(chǎn)生的電流的流動方向與電流的方向相反。我們期望從普通的正向偏置二極管獲得。
    正如上一篇文章中提到的，我們使用響應(yīng)度來量化入射光功率和光電流之間的關(guān)系。典型硅光電二極管的響應(yīng)度范圍為 400 nm EMR 的約 0.08 安培每瓦 (A/W) 到 700 nm EMR 的 0.48 A/W。
    結(jié)電容
    并聯(lián)電容器(C J )代表二極管的結(jié)電容，即與pn結(jié)的耗盡區(qū)相關(guān)的電容。結(jié)電容是一個重要參數(shù)，因為它強烈影響光電二極管的頻率響應(yīng)。較低的結(jié)電容可實現(xiàn)卓越的高頻操作。    您可能會注意到光電二極管模型，其中 C J是可變電容器。盡管這種表示方式似乎不太常見，但這并不是一個壞主意，因為它提醒我們結(jié)電容取決于偏置電壓。我們可以通過增加反向偏置電壓來故意設(shè)計更高帶寬的光電二極管系統(tǒng)。

    該圖取自O(shè)SI OptoElectronics出版的《光電二極管特性和應(yīng)用》，顯示了通過在光電導模式下操作光電二極管可以實現(xiàn)的結(jié)電容的大幅降低。
    并聯(lián)電阻
    與光電二極管并聯(lián)的電阻稱為分流電阻 (R SH )。與一般電流源一樣，當 R SH無窮大時即可實現(xiàn)理想操作。由于具有無窮大（或者在現(xiàn)實生活中，極高）的分流電阻，電流源將其所有電流傳送到負載，并且電流電壓比完全由負載電阻決定。當分流電阻接近負載電阻值時，它開始對電流電壓比產(chǎn)生更明顯的影響。
    對于許多光電二極管來說，分流電阻非常高，不會嚴重影響典型應(yīng)用中的整體性能。對于硅光電二極管來說，R SH為數(shù)十、數(shù)百甚至數(shù)千兆歐，砷化銦鎵還可以具有極高的分流電阻。然而，對于鍺，您需要更加小心，因為 R SH通常在千歐范圍內(nèi)，甚至可能在低千歐范圍內(nèi)。
    分流電阻也會影響噪聲性能。隨著 R SH減小，光電二極管的約翰遜噪聲增加。
    串聯(lián)電阻
    光電二極管具有會產(chǎn)生串聯(lián)電阻 (R S )的觸點、焊線和半導體材料。該電阻往往相當?shù)?，如幾歐姆或幾十歐姆，盡管更高的值也是可能的。    據(jù)我所知，串聯(lián)電阻通常不是光電二極管系統(tǒng)設(shè)計中的主要問題。然而，過多的串聯(lián)電阻會降低線性度：流過 R S 的光電流會產(chǎn)生電壓降，該電壓降開始對在零偏置配置下運行的光電二極管施加正向偏置（參見下圖）。正向偏置二極管具有指數(shù)電流-電壓關(guān)系。因此，增加 R S兩端的電壓會減少到達負載的光電流，因為它會導致一些光電流通過二極管本身轉(zhuǎn)移到地，并且這種電流轉(zhuǎn)移以非線性方式發(fā)生。