如果使用繼電器用于為平行于逆變器的直流電流電容器充電（DC）鏈路電容器，則需要預(yù)電路，該電流的尺寸，電壓和時(shí)間瞬變，該電流具有輻射電流。該電路首先關(guān)閉，并在達(dá)到直流鏈路電壓后打開(kāi)。如果使用半導(dǎo)體，則不再需要此預(yù)電。
　　繼電器是機(jī)電設(shè)備，在其應(yīng)用中面臨某些挑戰(zhàn)。一個(gè)主要的挑戰(zhàn)是兩個(gè)開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)之間的電弧，這是由它們跨越電壓的電壓引起的電氣，并且由于電流通過(guò)它們的電流而維持。如果將觸點(diǎn)焊接在一起，則弧形會(huì)導(dǎo)致壽命縮短或壞的情況破壞。繼電器提供商有多種解決方案可以克服此問(wèn)題，例如跨負(fù)載的電容器，充氣室等。溫度范圍通常限于-40°C至85°C，開(kāi)關(guān)速度在幾十毫秒的范圍。
　　繼電器的替代方案是雙向固態(tài)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，如下所述。它專注于主要承包商，意識(shí)到輔助電路也需要這些開(kāi)關(guān)。
　　完成作為繼電器置換的半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)，以便將兩個(gè)晶體管放在反系列中，以在兩個(gè)方向上阻止電流（請(qǐng)參見(jiàn)下面的圖2），并使用N通道MOSFET阻止電流?；蛘?，通?？梢允褂闷渌糠N類(lèi)型的FET。 Visic Core競(jìng)爭(zhēng)能力是在直接驅(qū)動(dòng)配置的寬帶氮化殼（GAN）FET中進(jìn)行的，因此是為HV-BDS提出的原因。
　　BDS中使用的FET的要求是什么？在正常操作期間，開(kāi)關(guān)一直在打開(kāi)，因此RDS啟動(dòng)是一個(gè)主要參數(shù)，可以定義傳導(dǎo)損失（p con =i*rds ）。技術(shù)本身以及多個(gè)模具的并行化可以實(shí)現(xiàn)所需的限度。并行化對(duì)于適當(dāng)?shù)漠?dāng)前共享至關(guān)重要，必須保證這一點(diǎn)。除其他參數(shù)外，它在很大程度上取決于具有對(duì)稱散射電感的完美打印電路布局。耗盡模式GAN FET提供了大約的高電子遷移率。來(lái)自二維電子氣體（2DEG）的1500cm/v*s結(jié)合了卓越的可靠性。

　　為什么GAN設(shè)備是HV-BD的合適候選者 Baliga（2016）說(shuō)：“ ...預(yù)測(cè)的0.4mohm/cm?的特定抗性比常規(guī)硅設(shè)備的理想特異性抗性小180倍”。商業(yè)設(shè)備目前尚未在此預(yù)測(cè)中，但是即使電阻是兩倍，它也比硅開(kāi)關(guān)小90倍。因此，對(duì)于相同的RD，可以使GAN晶體管要么小得多，要么在相同尺寸的情況下具有較小的電阻，并且非常適合電池?cái)嚅_(kāi)連接開(kāi)關(guān)。 Visic的直接驅(qū)動(dòng)配置（如圖3所示）顯示了如何控制GAN設(shè)備，與市場(chǎng)上的其他解決方案相比，產(chǎn)生多個(gè)好處，例如，無(wú)反向恢復(fù)損失，可靠性提高等。

　　圖2。 塊示意圖。圖像由 Bodo的Power Systems 提供

　　圖3。 直接驅(qū)動(dòng)gan。圖像由 Bodo的Power Systems提供