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一種適用于高速接口電路的新型均衡電路

出處:電子愛好者博客 發(fā)布于:2013-07-21 12:47:40

  摘 要:本文提出了一種新型高速均衡電路.在傳統(tǒng)源極負(fù)反饋均衡濾波結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上改進(jìn)電路結(jié)構(gòu),使用有源電感及對稱負(fù)載結(jié)構(gòu)改善了電路性能,避免了使用片上電感,優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu),節(jié)省了芯片面積,同時緩解了傳統(tǒng)均衡電路的速度瓶頸.經(jīng)仿真驗證,該均衡器電路高頻補償增益達(dá)到17.2dB,高低頻增益比達(dá)到5.24,信號速率達(dá)到5Gb/s時能完整接收信號,實現(xiàn)均衡效果.該電路結(jié)構(gòu)簡單,適用于各種高速信號接口電路.該電路采用0.13μmCMOS工藝實現(xiàn)。

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  傳輸線與印制PCB背板損耗已成為限制高速信號傳輸速度的主要因素.在信號傳輸過程中,趨膚效應(yīng)和介電損耗對信號高頻分量的影響尤其嚴(yán)重.同時,信號的高頻衰減會引起強烈的碼間干擾(ISI),對后級時鐘數(shù)據(jù)的恢復(fù)增加了難度,導(dǎo)致更高的誤碼率.為了改善信號傳輸效果,降低整個信號傳輸系統(tǒng)的誤碼率,通常要對信號高頻成分進(jìn)行補償,其中典型的方法有預(yù)加重和均衡器技術(shù).本文提出一種新型均衡濾波電路結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)源級負(fù)反饋均衡器的基礎(chǔ)上運用有源電感和對稱負(fù)載技術(shù),優(yōu)化電路均衡效果。

  2 均衡技術(shù)

  從頻域角度看,電纜或者傳輸線有低通特性,信號經(jīng)過傳輸線時,高頻分量幅度衰減,衰減和損耗的程度與頻率成正比.這樣信號就有可能丟失,出現(xiàn)嚴(yán)重的碼間干擾,使得系統(tǒng)誤碼率增大.因此,為了降低整個系統(tǒng)的誤碼率,需要采用均衡技術(shù)對信號進(jìn)行高頻補償.對采用均衡技術(shù)的位置不同,可以分為前級均衡與后級均衡.前級均衡技術(shù)代表有預(yù)加重技術(shù),人為地加重(提升)發(fā)射機輸入調(diào)制信號的高頻分量;后級均衡是在輸入端對信號進(jìn)行濾波,對高低頻信號有選擇的以不同增益放大,以抵消在傳輸線上衰減的部分,其各自幅頻特性如圖1所示.預(yù)加重技術(shù)通常通過輸出信號相位移動后疊加產(chǎn)生效果,從圖1(a)中可以看出,接收端信號實際是整體衰減的;在接收端設(shè)置均衡器是對衰減后的信號進(jìn)行放大,使后級接收到的信號趨近于未衰減,圖1(b)所示.本文接收器電路中采用的均衡器為后級均衡。

  3 傳統(tǒng)源極負(fù)反饋均衡器

  傳統(tǒng)均衡器結(jié)構(gòu)如圖2(a)所示,其中M5,M6為MOS電容,M7管工作在深線性區(qū)與RM并聯(lián),作為一個可調(diào)電阻,當(dāng)控制電壓不同時,可調(diào)節(jié)該管阻抗,以調(diào)節(jié)不同的均衡度.半邊等效電路(圖2(b))分析,該電路傳輸函數(shù)為:

  從公式可以看出,該傳輸函數(shù)中含有兩個極點一個零點,其中主級點和零點分別為位于-?。ǎ玻玻纾恚遥停玻茫保遥秃停玻茫保遥汀。泓c在極點之前,通過調(diào)節(jié)RM阻值與MOS電容大小,可調(diào)節(jié)該零點與其他極點相對位置,通過零點的作用對高頻信號進(jìn)行補償,使電路幅頻特性曲線在平帶后跟隨一段增益放大區(qū)域.對于這種結(jié)構(gòu)來說,電阻RM為低頻通路,而電容C1為高頻通路,采用這一結(jié)構(gòu)無需增加高低頻通路求和電路,實現(xiàn)簡單且不會帶來高低頻通路不匹配的影響.然而,傳統(tǒng)均衡器由于只使用一個補償零點產(chǎn)生均衡效果,均衡效果有限.同時,使用電阻負(fù)載在工藝實現(xiàn)中會帶來更大誤差,這對電路性能及均衡效果有很多不利因素。

  4 改進(jìn)型源極負(fù)反饋均衡器

  為了改進(jìn)傳統(tǒng)源極負(fù)反饋均衡器效果不理想的情況,一般采用片上電感的方式,通過增加零點個數(shù)提高均衡效果和系統(tǒng)帶寬.但片上電感成本較高,同時占用較大的芯片面積,不便于集成.為了同時獲得更好的噪聲抑制特性和更高的帶寬,本電路同時運用了對稱負(fù)載和有源電感結(jié)構(gòu),得到基于源極負(fù)反饋的新型均衡器結(jié)構(gòu),如圖3(a)所示。

 ?。矗薄ΨQ負(fù)載對稱負(fù)載的概念早由Maneatis提出,結(jié)構(gòu)如圖3(b)所示,其中M2為二極管連接的PMOS,M1柵極電壓有Ctrl端控制,M1,M2尺寸大小相同.當(dāng)Ctrl端電壓一定時,設(shè)置該負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的輸出端電壓V2為一定值,在該電壓下,M1正好進(jìn)入飽和區(qū),而此時M2還未開啟,此時為該負(fù)載阻值狀態(tài).當(dāng)V2增大時M1進(jìn)入線性區(qū),阻抗減小,當(dāng)V2減小時,M2逐漸開啟,整個負(fù)載阻抗減小.該負(fù)載結(jié)構(gòu)相對于固定點成軸對稱,在實際應(yīng)用時,設(shè)置該電壓為差分信號共模電平,這對全差分電路的抗噪性能會有顯著的提高。

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  有源電感的結(jié)構(gòu)及小信號等效模型如圖3(c)(d)所示,其中N1始終工作在深線性區(qū),可視為一固定電阻Rr?。校惫ぷ髟陲柡蛥^(qū),由小信號等效模型推導(dǎo)得出,該負(fù)載結(jié)構(gòu)傳輸特性為:

  從公式可以看出,該結(jié)構(gòu)傳輸函數(shù)中含有一個零點,通過調(diào)節(jié)Rr即N1的寬長比,可調(diào)節(jié)在高頻頻域獲得增益峰值,調(diào)節(jié)該峰值大小從而達(dá)到優(yōu)化均衡器均衡效果的目的.觀察圖3(a)左半邊電路,M9,M11為作為對稱負(fù)載的兩管,寬長比設(shè)計為相等,在版圖設(shè)計中也設(shè)置為完全相同.M7作為有源電感中處于深線性區(qū)的負(fù)載管.由于M7控制M9管的柵極,因此在實際應(yīng)用中流過M7的電流很小,使M7始終工作在深線性區(qū).根據(jù)有源電感的傳輸函數(shù),調(diào)節(jié)Rr的阻值和跨導(dǎo)Gm的大小可調(diào)節(jié)引入的零極點相對位置,在電路設(shè)計過程中,折中考慮速度,帶寬和均衡效果等因素,設(shè)置M7的寬長比約為M9和M11的1/10.采用這種有源電感的結(jié)構(gòu)避免了使用片上電感,對芯片成本的降低起到關(guān)鍵性作用.對于公式(1),改進(jìn)型源極負(fù)反饋均衡器的傳輸函數(shù)為:

  即將式(1)中負(fù)載引入的極點修改為有源電感負(fù)載網(wǎng)絡(luò),其中Rr代表有源電感等效電阻,Cgs為式(2)中M2柵極電容,g*m為M2跨導(dǎo).引入系統(tǒng)傳輸函數(shù)的零點為-1/RrCgs ,調(diào)節(jié)該零點位置,補償和優(yōu)化電路均衡效果。

 ?。怠》抡骝炞C及版圖電路使用兩級均衡器提高均衡效果,后級采用交叉耦合差分接收器提高整個系統(tǒng)增益.如圖4所示,兩級級聯(lián)后均衡器高頻補償增益達(dá)到17.2dB。

  全芯片電路結(jié)構(gòu)如圖5所示.電路使用兩級均衡器提高均衡效果,輸入信號為高速差分信號,經(jīng)傳輸線模型衰減后進(jìn)入均衡器,后級輸入限幅比較器將差分信號轉(zhuǎn)換為單端信號.仿真采用Hspice,信號速率5Gbit/s,共模電平1.25V,差分信號擺幅600mV,上升下降延時各50ps。

  信號經(jīng)傳輸線模型衰減后進(jìn)入接收器,仿真結(jié)果如圖6所示.圖6(a)為經(jīng)傳輸線衰減后信號,(b)為經(jīng)過兩級均衡器后輸出信號,(c)為均衡器輸出經(jīng)限幅放大器后輸出信號.從波形可以看出該電路在信號頻率達(dá)到5Gbit/s時仍能很好還原數(shù)據(jù)波形,并觀察到明顯的均衡效果.其他仿真數(shù)據(jù)見表1。

  該電路使用0.13μm CMOS工藝實現(xiàn),芯片面積約為0.26mm2,電路包括兩級級聯(lián)的均衡器,交叉耦合接比較器作為限幅放大器及后級驅(qū)動電路,后仿芯片功耗為34.7mW,芯片版圖概貌如圖7所示。

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  文中使用0.13μm CMOS實現(xiàn)了一款可以補償高頻信號傳輸線損耗的新型均衡器結(jié)構(gòu).仿真結(jié)果驗證得到,該電路可以接收速率高達(dá)5Gbit/s數(shù)據(jù)信號,并對傳輸線損耗造成的高頻衰減提供了有效的補償.在設(shè)計中,使用了對稱負(fù)載和有源電感等技術(shù),避免了使用片上電感.對電路的噪聲抑制和均衡效果起到了明顯的促進(jìn).電路仿真使用Hspice,功耗仿真結(jié)果滿足設(shè)計需求。

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