速度在不斷飆升！AMD的AM2接口 K8架構(gòu)處理器引入DDR2 800的支持，而Intel也在7月23日發(fā)布了萬(wàn)眾期待的Conroe處理器并進(jìn)行史上規(guī)模的"恐怖襲擊";電腦市場(chǎng)似乎在2006年已經(jīng)提前進(jìn)入了DDR2 800的極速時(shí)代。RD600支持1500Mhz的前端總線超頻，可惜在Computex 2006臺(tái)北電腦展上面，RD600似乎"臨時(shí)放棄"了DDR3內(nèi)存的支持，轉(zhuǎn)為支持DDR2 1066的內(nèi)存，所以DDR3內(nèi)存未能在2006年和觀眾們見(jiàn)面。DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電；DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀，DDR3目前能夠可以達(dá)到1600Mhz的速度，由于目前為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會(huì)從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們已經(jīng)可以看到多個(gè)內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組了。

　　1、邏輯Bank數(shù)量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來(lái)的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。

　　2、封裝（Packages）

　　DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。

　　3、突發(fā)長(zhǎng)度（BL,Burst Length）

　　由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期也固定為8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop突發(fā)突變模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制。

　　3、尋址時(shí)序（Timing）

　　就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間，而DDR3則在5~11之間，且附加延遲的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0~4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2.另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)："寫(xiě)入延遲",這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

　　4、新增功能--重置（Reset）

　　重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專(zhuān)門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到節(jié)省電力的目的。

　　5、新增功能--ZQ校準(zhǔn)

　　ZQ也是DDR3一個(gè)新增的引腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期，在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期；對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

　　6、參考電壓分成兩個(gè)

　　對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF,在DDR3系統(tǒng)中將分為兩個(gè)信號(hào)。一個(gè)是為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA,另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,它將有效的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。

　　7、根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新（SRT,Self-Refresh Temperature）

　　為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失，DRAM必須定時(shí)進(jìn)行刷新，DDR3也不例外。不過(guò)，為了的節(jié)省電力，DDR3采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設(shè)計(jì)（ASR,Automatic Self-Refresh）。當(dāng)開(kāi)始ASR之后，將通過(guò)一個(gè)內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器來(lái)控制刷新的頻率，因?yàn)樗⑿骂l率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過(guò)DDR3的ASR是可選設(shè)計(jì)，并不見(jiàn)得市場(chǎng)上的DDR3內(nèi)存都支持這一功能，因此還有一個(gè)附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT,Self-Refresh Temperature）。通過(guò)模式寄存器，可以選擇兩個(gè)溫度范圍，一個(gè)是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個(gè)是擴(kuò)展溫度范圍，比如到95℃。對(duì)于DRAM內(nèi)部設(shè)定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進(jìn)行刷新操作。

　　8、局部自刷新（RASR,Partial Array Self-Refresh）

　　這是DDR3的一個(gè)可選項(xiàng)，通過(guò)這一功能，DDR3內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯Bank,而不是全部刷新，從而限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點(diǎn)與移動(dòng)型內(nèi)存（Mobile DRAM）的設(shè)計(jì)很相似。

　　9、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（P2P,Point-to-Point）

　　這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行了重要改動(dòng)，也是與DDR2系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器將只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能一個(gè)插槽。因此內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P,Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（P22P,Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類(lèi)別相類(lèi)似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（內(nèi)存緩沖器）。不過(guò)目前有關(guān)DDR3內(nèi)存模組的標(biāo)準(zhǔn)制定工作剛開(kāi)始，引腳設(shè)計(jì)還沒(méi)有終確定。

　　10、省電

    DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V,同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，內(nèi)部增加溫度senser,可依溫度動(dòng)態(tài)控制更新率（RASR,Partial Array Self-Refresh功能），達(dá)到省電目的。

    面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì)，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面也比DDR2要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎，就像迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是筆記本和服務(wù)器一樣。