電力電子半導體器件在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中占據(jù)著重要的地位，它正向高頻化、大功率化、智能化和模塊化方向發(fā)展，其中模塊化應用更為深入。

　　電力電子半導體模塊化：

　　模塊化，按初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用ＲＴＶ、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料，密封在一個絕緣的外殼內(nèi)，并且與導熱底板相絕緣而成的。＜ＢＲ＞＜ＢＲ＞自從模塊原理引入電力電子技術(shù)領域以來，已開發(fā)和生產(chǎn)出多種內(nèi)部電路相聯(lián)接形式的電力半導體模塊，諸如雙向晶閘管、電力ＭＯＳＦＥＴ以及絕緣柵雙極型晶閘管（ＩＧＢＴ）等模塊，使得模塊技術(shù)得以更快的發(fā)展。

　　伴隨著ＭＯＳ結(jié)構(gòu)為基礎的現(xiàn)代半導體器件研發(fā)成功，人們把器件芯片與控制電路、驅(qū)動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路以及自診斷電路組合起來，密封裝在同一絕緣外殼內(nèi)稱之為智能化電力半導體模塊，即ＩＰＭ。為了提高整個系統(tǒng)的可靠性，以適應電力電子技術(shù)向高頻化、小型化、模塊化方向發(fā)展。在ＩＰＭ的基礎上，再增加一些逆變器的功能，使逆變電路（ＩＣ）的所有器件以芯片形式封裝在一個模塊中，便成為用戶專用電力模塊（ＡＳＰＭ），這樣的模塊更有利于高頻化。

　　為了能使邏輯電平為幾伏、幾毫安的集成電路ＩＣ與幾百伏、幾千伏的電力半導體器件相集成，以滿足電力事業(yè)的發(fā)展，人們采用混合封裝方法制造出能適應于各種場合的集成電力電子模塊（ＩＰＥＭ）。

　　智能晶閘管模塊：

　　晶閘管智能模塊ＩＴＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ?。裕瑁颍椋螅簦铮颉。校铮鳎澹颉。停酰洌酰欤澹?，是把晶閘管主電路和移相觸發(fā)系統(tǒng)以及過電流、過電壓保護、傳感器等共同封裝在一個塑料外殼內(nèi)制成的，使有關電路成為了一個整體。該晶閘管是電流控制型電力半導體器件，需要大的脈沖觸發(fā)功率才能驅(qū)動晶閘管，該模塊做起來具有一定難度。

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　?。福澳甏^緣柵雙極晶體管ＩＧＢＴ器件研發(fā)成功。由于ＩＧＢＴ器件具有電壓型驅(qū)動、驅(qū)動功率小、開關速度高、飽和壓降低以及可耐高電壓、大電流等一系列應用上的優(yōu)點，并可用ＩＣ來實現(xiàn)驅(qū)動和控制，進而發(fā)展到集成ＩＧＢＴＡ芯片、快速二極管芯片、控制和驅(qū)動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路，箱位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內(nèi)，具有智能化的ＩＧＢＴ模塊（ＩＰＭ）。它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創(chuàng)造了器件基礎。

　　通信電源｜穩(wěn)壓器模塊：

　　現(xiàn)今電力電子技術(shù)在電源模塊中發(fā)展的趨勢是低電壓、大電流。在次級整流電路中選用同步整流技術(shù)成為一種高效、低損耗的方法。由于功率ＭＯＳＥＦＴ的導通電阻很低，能提高電源效率，因而在采用隔離Ｂｕｃｋ電路的ＤＣ／ＤＣ變換器中已開始應用。同步整流技術(shù)是通過控制功率ＭＯＳＥＦＴ的驅(qū)動電路，實現(xiàn)整流功能的技術(shù)。一般驅(qū)動頻率固定，大約可達２００ｋＨｚ以上，門限驅(qū)動可以采用交叉合（Ｃｒｏｓｓｃｏｕｐｌｅｄ）或外加驅(qū)動信號配合死區(qū)時間控制實現(xiàn)。同步整流技術(shù)不僅提高了電源效率，而且給通信電源模塊帶來了新的進步，使得同步整流成為一種主流電源技術(shù)，應用于廣泛的工業(yè)生產(chǎn)領域

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