存儲(chǔ)信息　觸發(fā)器　電容

　　破壞性讀出　非　是

　　需要刷新　不要　需要

　　送行列地址　同時(shí)送　分兩次送

　　運(yùn)行速度　快　慢

　　集成度　低　高

　　發(fā)熱量　大　小

　　存儲(chǔ)成本　高　低

　　動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的定期刷新：在不進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)，ＤＲＡＭ　存儲(chǔ)器的各單元處于斷電狀態(tài)，由于漏電的存在，保存在電容ＣＳ　上的電荷會(huì)慢慢地漏掉，為此必須定時(shí)予以補(bǔ)充，稱(chēng)為刷新操作。

　　２、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的記憶原理和讀寫(xiě)過(guò)程

　?。ǎ保﹦?dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的組成：由單個(gè)ＭＯＳ管來(lái)存儲(chǔ)一位二進(jìn)制信息。信息存儲(chǔ)在ＭＯＳ管的源極的寄生電容ＣＳ中。

　　◎?qū)憯?shù)據(jù)時(shí)：字線(xiàn)為高電平，Ｔ導(dǎo)通。

　　寫(xiě)“１”時(shí)，位線(xiàn)（數(shù)據(jù)線(xiàn)）為低電平，?。郑模模?a target="_blank">電源）將向電容充電

　　寫(xiě)“０時(shí)，位線(xiàn)（數(shù)據(jù)線(xiàn)）為高電平，　若電容存儲(chǔ)了電荷，則將會(huì)使電容完成放電，就表示存儲(chǔ)了“０”。

　　◎讀數(shù)據(jù)時(shí)：先使位線(xiàn)（數(shù)據(jù)線(xiàn)）變?yōu)楦唠娖?，?dāng)字線(xiàn)高電平到來(lái)時(shí)Ｔ導(dǎo)通，若電容原存儲(chǔ)有電荷（　是“１”?。瑒t電容就要放電，就會(huì)使數(shù)據(jù)線(xiàn)電位由高變低；若電容沒(méi)有存儲(chǔ)電荷（　是“０”　），則數(shù)據(jù)線(xiàn)電位不會(huì)變化。檢測(cè)數(shù)據(jù)線(xiàn)上電位的變化就可以區(qū)分讀出的數(shù)據(jù)是１還是０。

　　注意

　　①讀操作使電容原存儲(chǔ)的電荷丟失，因此是破壞性讀出。為保持原記憶內(nèi)容，必須在讀操作后立刻跟隨寫(xiě)入操作，稱(chēng)為預(yù)充電延遲。

　　②向動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元提供地址，是先送行地址再送列地址。原因就是對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器必須定時(shí)刷新（如２ｍｓ），刷新不是按字處理，而是每次刷新一行，即為連接在同一行上所有存儲(chǔ)單元的電容補(bǔ)充能量。

　　③在動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的位線(xiàn)上讀出信號(hào)很小，必須接讀出放大器，通常用觸發(fā)器線(xiàn)路實(shí)現(xiàn)。

　　④存儲(chǔ)器芯片內(nèi)部的行地址和列地址鎖存器分先后接受行、列地址。

　?、荩遥粒?、ＣＡＳ、ＷＥ、Ｄｉｎ、Ｄｏｕｔ時(shí)序關(guān)系如下圖：

　?。?、教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲(chǔ)器組成與設(shè)計(jì)

　　（１）靜態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)（Ｐ２０７）

　?。ǎ玻┙虒W(xué)計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的組成與設(shè)計(jì)

　　◎地址總線(xiàn)：記為ＡＢ１５～ＡＢ０，統(tǒng)一由地址寄存器ＡＲ驅(qū)動(dòng)，地址寄存器ＡＲ只接收ＡＬＵ輸出的信息。

　　◎控制總線(xiàn)：控制總線(xiàn)的信號(hào)由譯碼器７４ＬＳ１３９給出，功能是指出總線(xiàn)周期的類(lèi)型：

　　※內(nèi)存寫(xiě)周期　用ＭＭＷ信號(hào)標(biāo)記

　　※內(nèi)存讀周期　用ＭＭＲ信號(hào)標(biāo)記

　　※外設(shè)（接口）寫(xiě)周期　用ＩＯＷ信號(hào)標(biāo)記

　　※外設(shè)（接口）讀周期　用ＩＯＲ信號(hào)標(biāo)記

　　※內(nèi)存在工作　用ＭＭＲＥＱ信號(hào)標(biāo)記

　　※外設(shè)在工作　用ＩＯＲＥＱ信號(hào)標(biāo)記

　　※寫(xiě)控存周期　用ＳＷＡ信號(hào)標(biāo)記

　　◎數(shù)據(jù)總線(xiàn)：分為內(nèi)部數(shù)據(jù)總線(xiàn)ＩＢ與外部數(shù)據(jù)總線(xiàn)ＤＢ兩部分。主要完成計(jì)算機(jī)各功能部件之間的數(shù)據(jù)傳送。

　　設(shè)計(jì)總線(xiàn)的技術(shù)是要保證在任何時(shí)刻只能把一組數(shù)據(jù)發(fā)送到總線(xiàn)上，卻允許一個(gè)和多個(gè)部件同時(shí)接受總線(xiàn)上的信息。所用的電路通常為三態(tài)門(mén)電路。

　　◎系統(tǒng)時(shí)鐘及時(shí)序：教學(xué)機(jī)晶振１．８４３２ＭＨｚ，３分頻后用６１４．４ＫＨｚ的時(shí)鐘作為系統(tǒng)主時(shí)鐘，使ＣＰＵ、內(nèi)存、ＩＯ同步運(yùn)行。

　?。茫校諆?nèi)部的有些寄存器用時(shí)鐘結(jié)束時(shí)的上升沿完成接受數(shù)據(jù)，而通用寄存器是用低電平接收的。內(nèi)存或Ｉ／Ｏ讀寫(xiě)操作時(shí)，每個(gè)總線(xiàn)周期由兩個(gè)時(shí)鐘組成，個(gè)時(shí)鐘，稱(chēng)為地址時(shí)間，用于傳送地址；第二個(gè)時(shí)鐘，稱(chēng)為數(shù)據(jù)時(shí)間，用于讀寫(xiě)數(shù)據(jù)

　　◎靜態(tài)存儲(chǔ)器的字位擴(kuò)展：

　　教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲(chǔ)器用靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片實(shí)現(xiàn)，由２Ｋ字的ＲＯＭ區(qū)和２Ｋ字ＲＡＭ區(qū)組成。內(nèi)存字長(zhǎng)１６位，按字尋址。

　?。遥希陀桑罚矗蹋樱玻罚保吨蛔x存儲(chǔ)器ＲＯＭ（每片２０４８?jìng)€(gè)存儲(chǔ)單元，每單元為８位二進(jìn)制位）兩片完成字長(zhǎng)的擴(kuò)展。地址分配在：０～２０４７

　　ＲＡＭ由７４ＬＳ６１１６隨機(jī)存儲(chǔ)器ＲＡＭ（每片２０４８?jìng)€(gè)存儲(chǔ)單元，每單元為８位二進(jìn)制位）兩片完成字長(zhǎng)的擴(kuò)展。地址分配在：２０４８～４０９５

　　靜態(tài)存儲(chǔ)器字、位擴(kuò)展

　　主存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)過(guò)程

　　靜態(tài)存儲(chǔ)器地址分配：

　　為訪(fǎng)問(wèn)　２０４８　個(gè)存儲(chǔ)單元，要用?。保薄∥坏刂?，把地址總線(xiàn)的低　１１　位地址送到每個(gè)存儲(chǔ)器芯片的地址引腳；對(duì)地址總線(xiàn)的高位進(jìn)行譯碼，譯碼信號(hào)送到各存儲(chǔ)器芯片的／ＣＳ　引腳，

　　◎在按字尋址的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)按字節(jié)讀寫(xiě)

　?。?、主存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用中的幾項(xiàng)技術(shù)

　　（１）動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的快速讀寫(xiě)技術(shù)

　　◎快速頁(yè)式工作技術(shù)（動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的快速讀寫(xiě)技術(shù)）

　　讀寫(xiě)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器同一行的數(shù)據(jù)時(shí)，其行地址次讀寫(xiě)時(shí)鎖定后保持不變，以后讀寫(xiě)該行多列中的數(shù)據(jù)時(shí)，僅鎖存列地址即可，省去了鎖存行地址的時(shí)間，加快了主存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度。

　　◎ＥＤＯ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ?。模幔簦帷。希酰簦┘夹g(shù)

　　在快速頁(yè)式工作技術(shù)上，增加了數(shù)據(jù)輸出部分的數(shù)據(jù)鎖存線(xiàn)路，延長(zhǎng)輸出數(shù)據(jù)的有效保持時(shí)間，從而地址信號(hào)改變了，仍然能取得正確的讀出數(shù)據(jù)，可以進(jìn)一步縮短地址送入時(shí)間，更加快了主存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度。

　?。ǎ玻┲鞔鎯?chǔ)器的并行讀寫(xiě)技術(shù)

　　是指在主存儲(chǔ)器的一個(gè)工作周期（或較長(zhǎng)）可以讀出多個(gè)主存字所采用的技術(shù)。

　　方案１：一體多字結(jié)構(gòu)，即增加每個(gè)主存單元所包括的數(shù)據(jù)位，使其同時(shí)存儲(chǔ)幾個(gè)主存字，則每讀操作就同時(shí)讀出了幾個(gè)主存字。

　　方案２：多體交叉編址技術(shù)，把主存儲(chǔ)器分成幾個(gè)能獨(dú)立讀寫(xiě)的、字長(zhǎng)為一個(gè)主存字的主體，分別對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)體進(jìn)行讀寫(xiě)；還可以使幾個(gè)存儲(chǔ)體協(xié)同運(yùn)行，從而提供出比單個(gè)存儲(chǔ)體更高的讀寫(xiě)速度。

　　有兩種方式進(jìn)行讀寫(xiě)：

　　◎在同一個(gè)讀寫(xiě)周期同時(shí)啟動(dòng)所有主存體讀或?qū)憽?/FONT>