同步DRAM的讀操作示例如圖所示，所有操作都是以時鐘的上升沿為基準進行的，與前面的狀態(tài)遷移圖結合相信會更容易明白。

 　　圖 SDRAM的讀操作

　?。?）行地址與存儲塊編號的指定
 
　　首先，因為同步DRAM處于IDLE狀態(tài)，所以在此發(fā)出利用了RAS、CAS、WE及“信號的ACTV指令。同時分別賦予A0～A12、BA0／BA1行地址和存儲塊編號，據(jù)此激活所指定的存儲塊，移向ROW ACTIVE狀態(tài)。此后如果等待tRCD時間，則可以接受下一指令。這個tRCD時間記錄于數(shù)據(jù)手冊中，HM5225165B的該時間為20ns，因此，如果以133MHz進行操作則需要3個時鐘；如果以100MHz進行操作則需要2個時鐘。
 
　　（2）列地址的指定與讀指令的發(fā)出
 
　　與經(jīng)過了tRCD時間后的時鐘上升沿同步，提供READ指令、列地址以及要進行讀操作的存儲塊編號。在讀操作中，可以進行相當于模式寄存器所設定的突發(fā)長度的連續(xù)讀操作。
 
　　（3）CAS延遲時間
 
　　發(fā)出READ指令后，經(jīng)過模式寄存器所設定的CAS延遲時間（CL）的時鐘周期后，將輸出數(shù)據(jù)。圖中表示了CAS延遲時間為3時的操作。
 
　?。?）數(shù)據(jù)的提取
 
　　經(jīng)過CAS延遲時間后，模式寄存器所指定的突發(fā)長度（BL）的數(shù)據(jù)將連續(xù)輸出，這樣就可以提取數(shù)據(jù)。圖中表示了BL＝4時的操作。如果相當于突發(fā)長度的數(shù)據(jù)輸出結束，則DRAM的輸出緩沖器自動變?yōu)楦咦杩範顟B(tài)。

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