安森美半導(dǎo)體拓展功率MOSFET產(chǎn)品系列,推出18款新計算器件
出處:www.edires.net 發(fā)布于:2007-09-21 14:33:56
這些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是單個N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小,降低導(dǎo)電和開關(guān)損耗,使電源效率更高。
安森美半導(dǎo)體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應(yīng)用的需要,安森美半導(dǎo)體一直在拓展PowerFET產(chǎn)品系列,以提供業(yè)內(nèi)品種多的MOSFET。因為安森美半導(dǎo)體有多種生產(chǎn)這些新型MOSFET器件的制造資源,所以我們可以有效地處理突發(fā)的需求變化并進(jìn)一步確保準(zhǔn)時供貨?!?nbsp;
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝,而每10,000片的批量預(yù)算單價在0.40至0.87美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTD4804N 30 V 117 A 4 m? 30 nC
NTD4805N 30 V 88 A 5 m? 20.5 nC
NTD4806N 30 V 76 A 6 m? 15 nC
NTD4808N 30 V 63 A 8 m? 11.3 nC
NTD4809N 30 V 58 A 9 m? 10.7 nC
NTD4810N 30 V 54 A 10 m? 9 nC
NTD4813N 30 V 40 A 13 m? 6.9 nC
NTD4815N 30 V 35 A 15 m? 6 nC
其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引腳封裝– 帶外露引腳框于背面使散熱更佳。這些器件的每10,000片的批量預(yù)算單價在0.71至0.91美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTMFS4833N 30 V 191 A 2 m? 39 nC
NTMFS4834N 30 V 130 A 3 m? 33 nC
NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 m? 25 nC
NTMFS4836N 30 V 90 A 4 m? 19.1 nC
NTMFS4837N 30 V 74 A 5 m? 14.2 nC
NTMFS4839N 30 V 66 A 6 m? 12 nC
NTMFS4841N 30 V 57 A 7 m? 11.9 nC
NTMFS4741N 30 V 67 A 8 m? 15 nC
NTMFS4744N 30 V 53 A 10 m? 10 nC
NTMFS4747N 30 V 44 A 13 m? 12 nC
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