39SF020是SST公司近推出的一種SuperFlash型的存儲器芯片，屬于SST公司平行閃速存儲器(Parallel Flash Memories)系列產(chǎn)品中的多功能型閃速存儲器(Multi-Purpose Flash)，采用單一+5V電源供電，可方便地應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)中。
與同容量的其他類型存儲器相比，39SF系列閃速存儲器具有明顯的優(yōu)點(diǎn)。39SF020的字節(jié)寫入速度可達(dá)20μs，明顯高于E2PROM型存儲器。而價(jià)格又遠(yuǎn)低于同容量的非易失性靜態(tài)存儲器(NVSRAM)，芯片讀寫速度滿足絕大多數(shù)場合，是一種性價(jià)比很高的存儲器。
39SF020適用于需要程序在線寫入或大容量、非易失性數(shù)據(jù)重復(fù)存儲的場合，其基于Super Flash技術(shù)的CMOS電路設(shè)計(jì)可以在降低功耗的同時(shí)顯著提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
1 SST39SF020性能特點(diǎn)

1．1 SST39SF020的主要特性
(1)按256kB x 8b結(jié)構(gòu)組織。
(2)單一十5V供電下的讀寫操作。
(3)高性能的使用壽命：讀寫操作可達(dá)100 000次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間大于100年。
(4)低使用功耗：芯片選通條件下工作電流為10mA，非選通條件下工作電流為3μA。
(5)扇區(qū)擦除能力：4 kB空間為基本擦除單位。
(6)讀取數(shù)據(jù)時(shí)間：45-70ns。
(7)地址和數(shù)據(jù)鎖存功能。
(8)芯片擦除和寫入時(shí)間：扇區(qū)擦除時(shí)間為18ms，芯片擦除時(shí)間為70ms，字節(jié)擦除時(shí)間為14μs，芯片整體重新寫入時(shí)間為2s。
(9)具有內(nèi)部擦除或?qū)懭瞬僮魍戤叺臓顟B(tài)標(biāo)志位。
1．2 SST39SF020內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
為39SF020內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖，其中A17一A0為地址線，CE#為芯片選通信號，OE#可作為讀信號，WE#為寫信號，DQ7～DQ0為數(shù)據(jù)線，可方便地與8位數(shù)據(jù)總線接口。為39SF020的外部管腳封裝圖。

2 SST39SF020讀寫操作和特定指令代碼
SST39SF020閃速存儲器的讀寫時(shí)序與一般存儲器的讀寫時(shí)序相同，當(dāng)OE#和CE#信號同時(shí)為低電平時(shí)，可對芯片進(jìn)行讀操作；當(dāng)WE#和CE#信號同時(shí)為低電平時(shí)進(jìn)行寫操作。39SF02Q通過特定的指令代碼可以完成字節(jié)、扇區(qū)或整體芯片的寫入和擦除操作。表1為39SF020對應(yīng)各種操作時(shí)的代碼指令表(其中BA為待寫入字節(jié)的地址，Data為字節(jié)寫人數(shù)據(jù)，SAx為待擦除扇區(qū)地址，軟件ID退出1和2的代碼指令等效，XXH為尋址空間范圍內(nèi)的任意地址)。

3 SST39SF020應(yīng)用子程序
SST39SF020在實(shí)際應(yīng)用中需要調(diào)用特殊指令代碼進(jìn)行初始化設(shè)置，下面分別敘述各相應(yīng)子程序。
3．1 字節(jié)寫入程序
所示為向SST39SF020寫入單一字節(jié)的程序流程。前3次送人固定指令代碼，后面送人實(shí)際需要寫入數(shù)據(jù)，等待標(biāo)志完成位指示，完成寫入字節(jié)操作(其中Data Polling為寫入完畢的標(biāo)志位)。

3．2 等待查詢程序
SST39SF020在字節(jié)寫入／擦除程序調(diào)用中，可以通過所示3種等待／查詢方式中的任意1種判斷寫入／擦除操作過程是否完畢(其中Tbp為字節(jié)寫入時(shí)間、Tsce為芯片擦除時(shí)間、Tse為扇區(qū)擦除時(shí)間，DQ7和DQ6為字節(jié)數(shù)據(jù)的位和次高位)。