污染顆粒怎樣去除

出處：kir 發(fā)布于：2007-04-29 10:15:49

晶片表面的顆粒大小可由從非常大的（50微米）變化到小于一微米。大的顆?？捎脗鹘y(tǒng)的化學(xué)浸泡池和相應(yīng)的清水沖洗除去。較小的顆粒被幾種很強(qiáng)的力量吸附在表面所以很難除去。一種是范德華吸引力，這是一種在一個(gè)原子的電子和另一個(gè)原子的核之間形成的很強(qiáng)的原子間吸引力。盡量減小這種靜電引力的技術(shù)是控制一種叫做z-電勢(shì)的變量。z-電勢(shì)是在顆粒周圍的帶電區(qū)與清潔液中帶相反電荷的帶電區(qū)域形成平衡的平衡電勢(shì)。這個(gè)電勢(shì)隨著速度（當(dāng)晶片在清洗池中移動(dòng)時(shí)清洗液的相對(duì)移動(dòng)速度），溶液的pH值和溶液中的電解質(zhì)的濃度變化而變化的。同時(shí)，它還將受到清洗液中的添加劑，如表面活性劑的影響。我們可以通過設(shè)定這些條件來得到一個(gè)與晶片表面相同電性的較大電勢(shì)，從而產(chǎn)生排斥作用使得顆粒從晶片表面脫落而保留在溶液中。
Capillary引力是另外一個(gè)問題。它產(chǎn)生了顆粒與表面之間形成的液體橋（圖5.24）。Capillary引力可以比范德華引力大。30表面活性劑或一些機(jī)械的輔助，例如超聲波，被用來去除表面的這些顆粒。
清洗工藝多為一系列的步驟，用來將大小不一的顆粒同時(shí)除去。簡(jiǎn)單的顆粒去除工藝是用位于清洗臺(tái)的手持氮?dú)鈽寚姵龅慕?jīng)過過濾的高壓氮?dú)獯稻谋砻?。在存在小顆粒問題的制造區(qū)域，氮?dú)鈽屔吓渲昧穗x子化器，從而除去氮?dú)饬髦械撵o電，而使晶片表面呈中性。氮?dú)獯禈屖鞘殖值?，操作員在使用它的時(shí)候必須注意不要污染操作臺(tái)上的其它晶片或操作臺(tái)本身。通常在潔凈等級(jí)為1/10的潔凈室中，不使用吹槍。

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