室溫和氧化的化學(xué)物質(zhì)
出處：winhiwang 發(fā)布于：2007-04-29 10:15:49
理想的清洗工藝是應(yīng)用那些完全安全、易于并比較經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行處理的化學(xué)品，并且在室溫下進(jìn)行。這種工藝并不存在。然而，關(guān)于室溫下化學(xué)反應(yīng)的研究正在進(jìn)行。其中一種37是將臭氧與另外兩種濃度的氫氟酸溶液（圖5.27）在室溫下注入盛有超純凈水的清洗池。超聲波作為輔助以提高清洗的有效性。
噴灑清洗。標(biāo)準(zhǔn)的清洗技術(shù)是浸泡在濕法清洗臺(tái)或全自動(dòng)機(jī)器中的化學(xué)池中進(jìn)行的。當(dāng)濕法清洗被應(yīng)用到0.35到0.50微米的技術(shù)時(shí)代時(shí)，也相應(yīng)出現(xiàn)了一些顧慮?；瘜W(xué)品越來越多，浸泡在池中會(huì)導(dǎo)致污染物的再次沉積，而且晶片表面越來越小，越來越深的圖形阻礙了清洗的有效性。多樣的清洗方法于是開始結(jié)合。噴灑清洗具有幾個(gè)優(yōu)越性?；瘜W(xué)品直接噴到晶片表面而無需在池中保持大量的貯備，導(dǎo)致化學(xué)品的成本降低?；瘜W(xué)品用量的減少也使得處理和除去運(yùn)化學(xué)廢物的花費(fèi)降低。清洗效果也有所提高。噴灑的壓力有助于清洗晶片表面帶有深孔的很小的圖形。而且，再次污染的機(jī)率也變小。噴灑的方法由于晶片每次接觸的都是新鮮的化學(xué)品，使允許清洗后立即進(jìn)行清水沖淋，而無需移至另外的一個(gè)清水沖洗臺(tái)上進(jìn)行。
干法清洗。關(guān)于濕法浸泡方法的考慮拒絕了對(duì)于氣相清洗的想法和發(fā)展。對(duì)于清洗，晶片暴露在清洗液或刻蝕液的蒸汽中。氫氟酸/水的混合蒸汽經(jīng)證實(shí)可用來去除氧化物，以過氧化物為基礎(chǔ)的清洗液的氣相取代物也有存在。38
這一工業(yè)終的夢(mèng)想是完全的干法清洗和干法刻蝕。目前，干法刻蝕（等離子體，見第9章）已經(jīng)很完善得建立起來。干法清洗正在發(fā)展之中。紫外臭氧可以氧化并光學(xué)分離晶片表面形成的污染物。
低溫清洗。 高壓的二氧化碳 CO2，或雪清洗，是一種新興的技術(shù)。（圖5.28）CO2從一個(gè)噴嘴中直接噴到晶片表面。當(dāng)氣體從噴嘴中噴出時(shí)，其壓力下降從而導(dǎo)致快速冷卻，然后形成CO2 顆粒，或叫雪花。相互撞擊的顆粒的壓力驅(qū)散表面的顆粒并由氣流將其攜帶走。表面的物理撞擊提供了一種清洗作用。氬氣的噴霧是另外一種低溫清洗。氬氣相對(duì)較重。它的較大的原子在壓力下直噴到晶片表面可以除去顆粒。
一種結(jié)合了氧氣和氬氣的綜合的方法，稱為Cryokinetic。在壓力下將氣體預(yù)冷使其形成液氣混合物并流入一個(gè)真空反應(yīng)室中。在反應(yīng)室中，液體迅速膨脹形成極微小的結(jié)晶將顆粒從晶片表面擊走。
噴灑清洗。標(biāo)準(zhǔn)的清洗技術(shù)是浸泡在濕法清洗臺(tái)或全自動(dòng)機(jī)器中的化學(xué)池中進(jìn)行的。當(dāng)濕法清洗被應(yīng)用到0.35到0.50微米的技術(shù)時(shí)代時(shí)，也相應(yīng)出現(xiàn)了一些顧慮?；瘜W(xué)品越來越多，浸泡在池中會(huì)導(dǎo)致污染物的再次沉積，而且晶片表面越來越小，越來越深的圖形阻礙了清洗的有效性。多樣的清洗方法于是開始結(jié)合。噴灑清洗具有幾個(gè)優(yōu)越性?；瘜W(xué)品直接噴到晶片表面而無需在池中保持大量的貯備，導(dǎo)致化學(xué)品的成本降低?；瘜W(xué)品用量的減少也使得處理和除去運(yùn)化學(xué)廢物的花費(fèi)降低。清洗效果也有所提高。噴灑的壓力有助于清洗晶片表面帶有深孔的很小的圖形。而且，再次污染的機(jī)率也變小。噴灑的方法由于晶片每次接觸的都是新鮮的化學(xué)品，使允許清洗后立即進(jìn)行清水沖淋，而無需移至另外的一個(gè)清水沖洗臺(tái)上進(jìn)行。
干法清洗。關(guān)于濕法浸泡方法的考慮拒絕了對(duì)于氣相清洗的想法和發(fā)展。對(duì)于清洗，晶片暴露在清洗液或刻蝕液的蒸汽中。氫氟酸/水的混合蒸汽經(jīng)證實(shí)可用來去除氧化物，以過氧化物為基礎(chǔ)的清洗液的氣相取代物也有存在。38
這一工業(yè)終的夢(mèng)想是完全的干法清洗和干法刻蝕。目前，干法刻蝕（等離子體，見第9章）已經(jīng)很完善得建立起來。干法清洗正在發(fā)展之中。紫外臭氧可以氧化并光學(xué)分離晶片表面形成的污染物。
低溫清洗。 高壓的二氧化碳 CO2，或雪清洗，是一種新興的技術(shù)。（圖5.28）CO2從一個(gè)噴嘴中直接噴到晶片表面。當(dāng)氣體從噴嘴中噴出時(shí)，其壓力下降從而導(dǎo)致快速冷卻，然后形成CO2 顆粒，或叫雪花。相互撞擊的顆粒的壓力驅(qū)散表面的顆粒并由氣流將其攜帶走。表面的物理撞擊提供了一種清洗作用。氬氣的噴霧是另外一種低溫清洗。氬氣相對(duì)較重。它的較大的原子在壓力下直噴到晶片表面可以除去顆粒。
一種結(jié)合了氧氣和氬氣的綜合的方法，稱為Cryokinetic。在壓力下將氣體預(yù)冷使其形成液氣混合物并流入一個(gè)真空反應(yīng)室中。在反應(yīng)室中，液體迅速膨脹形成極微小的結(jié)晶將顆粒從晶片表面擊走。
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