晶圓生產(chǎn)良率的制約因素-工藝制程步驟的數(shù)量
出處：catvmmds 發(fā)布于：2007-04-29 10:15:33
從圖6.2中看出,要得到85.9%的CUM晶圓生產(chǎn)良率,每個(gè)單一制程站良率必須高于90%.圖所示只是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的11步工藝流程.ULSI電路需要50~100個(gè)主要工藝操作.到2010年,生產(chǎn)晶圓的主要工藝操作將達(dá)到600個(gè).每個(gè)主要工藝操作包含幾個(gè)步驟,每個(gè)步驟又依序涉及到幾個(gè)分步.能夠在經(jīng)過(guò)如此眾多的工藝步驟后仍然維持很高的CUM良率,這一切顯然應(yīng)歸功于晶圓生產(chǎn)廠內(nèi)持續(xù)不斷的良率壓力.在如此眾多的工藝步驟作用下,電路本身越復(fù)雜,預(yù)期的CUM良率也就會(huì)越低.
工藝步驟的增加同時(shí)提高了另外4個(gè)制約良率因素對(duì)制程中晶圓產(chǎn)生影響的可能性.這種情況是所謂的數(shù)量專治.例如,要想在一個(gè)50步的工藝流程上獲得75%的累積良率,每單步的良率必須達(dá)到99.4%!專治在此類計(jì)算中更進(jìn)一步表現(xiàn)為CUM良率決不會(huì)超過(guò)各單步的良率.如果一個(gè)工藝制程步驟只能達(dá)到50%的良率,整理的CUM良率不會(huì)超過(guò)50%.
每個(gè)主要工藝操作都包含了許多工藝步驟及分步,這使得晶圓生產(chǎn)部門面臨著曰益升高的壓力.在圖示的11步工藝流程中,步是一個(gè)氧化工藝.一個(gè)簡(jiǎn)單的氧化工藝需要完成幾個(gè)工藝步驟.他們是:清洗、氧化和評(píng)估。它們每一步度包含有分步驟。圖6.3中列出了一個(gè)典型的氧化清洗工藝所包含的6個(gè)分步驟。每一個(gè)步驟都存在污染晶圓、打碎晶圓、或者犯其他錯(cuò)誤的機(jī)會(huì)。
圖6.3 氧化工藝的分步驟
對(duì)于商用半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，75％的晶圓廠CUM良率是賺取利潤(rùn)的底線，自動(dòng)化生產(chǎn)線則要達(dá)到90％或以上的良率。
工藝步驟的增加同時(shí)提高了另外4個(gè)制約良率因素對(duì)制程中晶圓產(chǎn)生影響的可能性.這種情況是所謂的數(shù)量專治.例如,要想在一個(gè)50步的工藝流程上獲得75%的累積良率,每單步的良率必須達(dá)到99.4%!專治在此類計(jì)算中更進(jìn)一步表現(xiàn)為CUM良率決不會(huì)超過(guò)各單步的良率.如果一個(gè)工藝制程步驟只能達(dá)到50%的良率,整理的CUM良率不會(huì)超過(guò)50%.
每個(gè)主要工藝操作都包含了許多工藝步驟及分步,這使得晶圓生產(chǎn)部門面臨著曰益升高的壓力.在圖示的11步工藝流程中,步是一個(gè)氧化工藝.一個(gè)簡(jiǎn)單的氧化工藝需要完成幾個(gè)工藝步驟.他們是:清洗、氧化和評(píng)估。它們每一步度包含有分步驟。圖6.3中列出了一個(gè)典型的氧化清洗工藝所包含的6個(gè)分步驟。每一個(gè)步驟都存在污染晶圓、打碎晶圓、或者犯其他錯(cuò)誤的機(jī)會(huì)。
圖6.3 氧化工藝的分步驟
對(duì)于商用半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，75％的晶圓廠CUM良率是賺取利潤(rùn)的底線，自動(dòng)化生產(chǎn)線則要達(dá)到90％或以上的良率。
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