1 定向的方法

1.1 根據(jù)晶體生長(zhǎng)的各向異性定向

1.2 根據(jù)晶體解理的各向異性定向

1.3 根據(jù)晶體腐蝕的各向異性定向

1.4 光圖定向

1.5 x光衍射定向

2 光圖定向的方法與原理

2.1 顯示晶面解理坑

2.2 晶面解理坑的結(jié)構(gòu)與分布

2.3 光向與晶向

2.4 光圖定向儀

2.5 光圖定向

3. 光圖定向器件生產(chǎn)中的應(yīng)用

3.1 定向切割

3.2 定向劃片及定位面的制造

課程重點(diǎn)：本節(jié)介紹了常規(guī)集成電路制造中硅單晶體定向。粗略的可根據(jù)晶體生長(zhǎng)的各向異性定向、根據(jù)晶體解理的各向異性定向、根據(jù)晶體腐蝕的各向異性定向；較的可進(jìn)行光圖定向；更的可進(jìn)行x光衍射定向。本節(jié)主要介紹了常規(guī)集成電路制造中常用的光圖定向，根據(jù)光圖定向的三個(gè)必備條件，進(jìn)行了顯示晶面解理坑的討論；晶面解理坑的結(jié)構(gòu)與分布的討論；平行光照射晶面解理坑后，得到的反射光象與晶體晶向關(guān)系的討論；討論了常見的光圖定向儀；并對(duì)光圖定向的設(shè)備要求和光圖定向步驟進(jìn)行了討論。，討論了光圖定向在常規(guī)集成電路制造中兩種常見的應(yīng)用，定向切割是在一定生長(zhǎng)晶向的硅單晶棒上切出所需晶面的硅單晶片；而定位面的制造是為了適應(yīng)器件生產(chǎn)中的定向劃片，指出定向劃片可以獲得大量完整的管芯，定位面為定向劃片提供了劃片的參考平面。

課程難點(diǎn)：為什么可根據(jù)晶體生長(zhǎng)的各向異性、晶體解理的各向異性、晶體腐蝕的各向異性進(jìn)行定向，與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系如何。在光圖定向中，顯示晶面解理坑采用了電化學(xué)腐蝕，腐蝕前為什么要進(jìn)行金剛砂研磨？在電化學(xué)腐蝕液中，晶格畸變區(qū)和晶格完整區(qū)各具有不同的性質(zhì)，進(jìn)行了什么不同的化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)機(jī)理是什么。當(dāng)在低指數(shù)晶面的晶片上制備晶面解理坑時(shí)，獲得的是以平行該低指數(shù)晶面的面為底、以{111}面為側(cè)面圍成的平底錐坑，此類結(jié)構(gòu)的形成機(jī)理及與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系。光圖定向中光象與晶向之間的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系。考慮定位面劃片時(shí)就能減少管芯的碎裂的理論依據(jù)。

基本概念：

1 光圖定向-用平行光照射單晶體上的晶面解理坑，根據(jù)反射光象判定、調(diào)正晶向的方法。

2晶面解理坑-以低指數(shù)晶面圍成的、與晶面（晶向）有一定對(duì)應(yīng)關(guān)系的晶面腐蝕坑。其側(cè)面為解理面。 3 晶格畸變區(qū)-指晶格有損傷的或不完整的區(qū)域，該區(qū)域存在較大的晶格內(nèi)應(yīng)力，內(nèi)能大。

4晶格完整區(qū)-指晶格結(jié)構(gòu)完整或完美的區(qū)域，該區(qū)域晶格內(nèi)應(yīng)力低，內(nèi)能小。

5 反射光象-用平行光照射晶面解理坑 ，晶面解理坑某組平面對(duì)光的反射而得到的光圖（光象 ）。

6定向切割-光圖定向+垂直切割。

7 定向劃片-按規(guī)定沿解理向進(jìn)行劃 片的方法。

基本要求：了解硅單晶體定向的目的、可采用的方法、定向原理。知道幾種粗略定向方法的理論依據(jù)，較定向方法間的比較。清楚光圖定向的方法和原理，能通過合適方法得到晶面解理坑、能通過一定手段得到反射光象、能由反射光象與晶體晶向的關(guān)系分析判定晶向、當(dāng)晶向有偏離時(shí)能通過調(diào)整光圖調(diào)正晶向。知道光圖定向是如何在半導(dǎo)體器件制造中得到應(yīng)用的，知道光圖定向在定向切割中所起的作用、知道光圖定向如何參與定位面的制作和定位面是如何在定向劃片中起到作用的。