1 氯化氫拋光工藝

1.1 拋光目的

1.2 氯化氫拋光工藝

1.2.1氯化氫拋光方法

1.2.2 氯化氫拋光步驟

1.3 腐蝕反應和腐蝕速率

1.3.1 腐蝕反應

1.3.2有關(guān)腐蝕速率

1.4 討論

1.4.1 腐蝕速率與氯化氫氣體分壓有關(guān)

1.4.2 腐蝕速率與溫度關(guān)系不明顯

1.4.3 在一定溫度下，應用氯化氫氣體分壓有值限制

1.4.4 有關(guān)其它拋光工藝

2 外延摻雜工藝

2.1 摻雜工藝原理

2.1.1外延摻雜是與外延同時進行的

2.1.2摻雜動力學原理

2.2 外延層中的摻雜濃度

2.3 摻雜方法

2.3.1 液相摻雜

2.3.2 氣相摻雜

課程重點：本節(jié)介紹了外延輔助工藝，包括外延生長前的對襯底表面常用的氯化氫拋光工藝和為了保證外延層所要求的電性能而進行的外延摻雜工藝。關(guān)于氯化氫拋光工藝，主要介紹了對襯底表面進行拋光處理的必要性以及拋光達到的目的；重點討論了工藝，其中涉及了氯化氫拋光的方法和氯化氫拋光的工藝步驟；對氯化氫拋光的腐蝕反應和腐蝕速率進行了較詳細的分析；，對氯化氫拋光的腐蝕速率與各種因素的關(guān)系進行了討論；還強調(diào)指出氯化氫拋光工藝是一種氣相化學拋光，除了氯化氫氣氛外，其它如溴化氫、碘化氫、三氯乙烯、六氟化硫及溴氣等也可以作為拋光氣氛-這就形成了其它拋光工藝。關(guān)于外延摻雜工藝，首先介紹了半導體集成電路制造對外延層的電性要求；介紹了外延摻雜原理；重點討論了外延層中的摻雜濃度，討論中，首先建立了摻雜模型，根據(jù)對模型的分析，得到了與反應劑氣體分壓和摻雜劑氣體分壓有關(guān)的摻雜濃度表達式；介紹了液相摻雜和氣相摻雜兩種摻雜方法，并指出了它們各自的控制摻雜手段。

課程難點：氯化氫拋光工藝中，通過拋光是如何可以達到高潔凈的、無損傷的、新鮮的待生長表面的；氯化氫拋光步驟中各步的工藝控制條件；化學氣相拋光的溫度控制特點；拋光腐蝕速率表達式用外延生長速率表達式表達時，式中各因子的含義發(fā)生了什么變化；腐蝕速率在低蝕率和高蝕率時的極限分析及在中等蝕率時的表達式分析；實際工藝中，氯化氫氣體分壓的選擇。在外延摻雜工藝中，注意 其摻雜原理與一般的合金摻雜和擴散摻雜有不同處，雜質(zhì)是在外延過程中加入到外延層晶格點陣上的；由于摻雜與外延同時進行，則摻雜動力學原理與外延動力學原理極其相似，只不過雜質(zhì)在加入到外延層晶格點陣上后，有一個離化的事實；外延摻雜模型的建立和分析，注意單位時間內(nèi)，由于摻雜而導致的摻雜劑粒子流密度的消耗既與外延層中的摻雜濃度有關(guān)、又與外延生長速率有關(guān)；有關(guān)液相摻雜和氣相摻雜兩種摻雜方法的對比、各自對摻雜濃度工藝控制等。

基本要求：了解由拋光工藝和外延摻雜工藝構(gòu)成的外延輔助工藝。對氯化氫拋光工藝，要求清楚的知道采用拋光工藝的目的；氯化氫拋光工藝的工藝方法，掌握氯化氫拋光的工藝步驟，知道氯化氫拋光工藝與外延工藝是在一個反應系統(tǒng)中、并且氯化氫拋光工藝與外延生長工藝可連續(xù)不間斷進行；了解氯化氫拋光是化學氣相拋光，掌握其腐蝕反應控制條件；應知道氯化氫拋光工藝中的化學反應實際上是外延生長反應的逆反應，因此，拋光腐蝕速率表達式可用外延生長速率表達式描述，但應清楚同一個式子表達的意思是完全不同的；了解在低蝕率和高蝕率時的極限條件下，拋光腐蝕速率與氯化氫氣體分壓的不同關(guān)系；應掌握實際氯化氫拋光工藝的氯化氫氣體分壓的選擇。對于外延摻雜工藝，應知道半導體集成電路制造對外延層的電性要求，即具有準確的導電類型、具有的電阻率；知道如何選擇外延摻雜的摻雜劑；清楚外延摻雜原理，從動力學原理能分析摻雜與外延的相同處和不同處；能建立起外延摻雜模型，并對該模型進行正確的分析討論，從而得到外延摻雜濃度表達式；能清楚的知道液相摻雜和氣相摻雜兩種摻雜方法各自的特點，當使用它們摻雜時，各自對摻雜濃度的工藝控制。