1 外延層質(zhì)量參數(shù)

1.1 外延層電阻率ρepi

1.2 外延層的雜質(zhì)濃度分布

1.3 外延層厚度

1.4 少數(shù)載流子壽命

1.5 外延層中的缺陷

1.5.1 表面缺陷

1.5.2 體內(nèi)缺陷

2 外延層質(zhì)量參數(shù)的檢驗

2.1 ρepi的檢驗

2.1.1 三探針法測ρepi-對（外延層/襯底）導(dǎo)電類型相同者

2.1.2 四探針法測ρepi-對（外延層/襯底）導(dǎo)電類型相異者

2.2 用電容-電壓法測外延層中的雜質(zhì)濃度分布

2.3 外延層厚度檢驗

2.3.1 可用的方法

2.3.2 用層錯法測量外延層厚度

2.4 外延層中的缺陷檢驗

2.4.1 采用顯微觀測法檢驗表面缺陷

2.4.2 采用先化學腐蝕、后顯微觀測法檢驗體內(nèi)缺陷

課程重點：本節(jié)簡單介紹了外延層質(zhì)量參數(shù)及外延層質(zhì)量參數(shù)的檢驗。關(guān)于外延層質(zhì)量參數(shù)介紹了外延層電阻率、外延層中的雜質(zhì)濃度分布、外延層厚度、外延層中的少數(shù)載流子壽命、外延層中的缺陷五類；關(guān)于外延層質(zhì)量參數(shù)的檢驗，給出了除少數(shù)載流子壽命檢驗之外的四類、八種檢測方法。

課程難點：注意外延層電阻率ρepi以及與外延層中摻入雜質(zhì)總量的關(guān)系，在何條件下可認為與雜質(zhì)濃度有關(guān)；注意外延層中的雜質(zhì)濃度分布，以及理想時其分布應(yīng)為常量分布，而實際上在兩個界面附近應(yīng)為變化分布的特點；注意外延層厚度，以及厚度的選擇決定于制造不同晶體管和集成電路外延層厚度的要求；注意外延層中少數(shù)載流子壽命，以及它與外延層中非需要雜質(zhì)含量的關(guān)系；注意外延層中的缺陷、以及缺陷的類型，特別是體內(nèi)缺陷（結(jié)構(gòu)缺陷）位錯和層錯的特點。關(guān)于各類質(zhì)量參數(shù)的測量方法，以及它們的專一性和對應(yīng)性。

基本要求：要求熟知外延層的質(zhì)量參數(shù)，包括外延層電阻率

ρepi，以及與外延層中摻入雜質(zhì)總量的關(guān)系，在認為外延層中摻雜濃度恒定條件下，可認為與摻入雜質(zhì)濃度有關(guān)；要求了解外延層中的雜質(zhì)濃度分布，知道一般把界面看作是理想界面時，認為外延層中的雜質(zhì)濃度分布為恒定值，而實際上在界面附近由于存在雜質(zhì)的流入或流出，使界面附近的雜質(zhì)濃度分布不為恒定值；要求知道在選擇外延層厚度時，如何考慮不同的晶體管制造和不同的集成電路制造對這一參數(shù)的要求；了解外延層中少數(shù)載流子壽命，以及它與外延層中非需要雜質(zhì)含量的關(guān)系；熟知外延層中的缺陷類型，知道外延層表面缺陷的種類、知道外延層體內(nèi)缺陷的種類，知道外延層體內(nèi)缺陷位錯和層錯各自的生長或生成環(huán)境。要求熟知外延層的質(zhì)量參數(shù)的檢測，要求會使用適當?shù)姆椒ㄈz驗各種外延層的質(zhì)量參數(shù)。