1 外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布

1.1 界面的雜質(zhì)再分布的條件

1.1.1 界面兩側(cè)存在雜質(zhì)的濃度梯度

1.1.2 存在高溫處理環(huán)境

1.2 界面雜質(zhì)再分布的結(jié)果

1.2.1 同型外延結(jié)構(gòu)

1.2.2 異型外延結(jié)構(gòu)

2 常規(guī)器件結(jié)構(gòu)中外延層-襯底界面的雜質(zhì)分布

2.1 N /N (P /P )結(jié)構(gòu)中外延層-襯底雜質(zhì)分布

2.2 常規(guī)集成電路中N /P 外延層-襯底界面的雜質(zhì)分布

3 常規(guī)集成電路制造中外延層-襯底界面的雜質(zhì)互擴(kuò)散

3.1 外延層向襯底的推移

3.1.1 雜質(zhì)分布的近似表達(dá)式

3.1.2外延層向襯底的推移表達(dá)式及推移深度

3.1.3 工藝應(yīng)用的意義

3.2 埋層的反擴(kuò)散

3.2.1擴(kuò)散的近似分析

3.2.2埋層上反擴(kuò)散的雜質(zhì)分布表達(dá)式

3.2.3埋層上反擴(kuò)散的深度表達(dá)式

3.2.4 在工藝中的應(yīng)用

課程重點(diǎn)：本節(jié)介紹了由于雜質(zhì)互擴(kuò)散而使外延層-襯底界面兩側(cè)的雜質(zhì)出現(xiàn)重新再分布的事實(shí)，這改變了第二章給出的外延層中雜質(zhì)濃度恒定的說法，界面兩側(cè)雜質(zhì)出現(xiàn)的重新再分布，將導(dǎo)致外延層靠近外延層-襯底界面附近雜質(zhì)濃度是變化的。討論了外延層-襯底界面的出現(xiàn)雜質(zhì)再分布的條件。對必要的條件指出：其一是界面兩側(cè)存在雜質(zhì)的濃度梯度，其二是存在高溫處理環(huán)境。對應(yīng)實(shí)際器件制造工藝的分析可知：不管是同型外延還是異型外延它們的外延層-襯底界面兩側(cè)均存在雜質(zhì)的濃度梯度；而存在高溫環(huán)境更是很多的，諸如外延過程中的高溫環(huán)境、隔離制造的高溫環(huán)境（隔離氧化的高溫、隔離預(yù)淀積擴(kuò)散的高溫、隔離再分布擴(kuò)散的高溫）、器件基區(qū)制造的高溫環(huán)境（基區(qū)制造氧化的高溫、基區(qū)制造預(yù)淀積擴(kuò)散的高溫、基區(qū)制造再分布擴(kuò)散的高溫）、器件發(fā)射區(qū)制造的高溫環(huán)境（發(fā)射區(qū)制造預(yù)淀積擴(kuò)散的高溫、發(fā)射區(qū)制造再分布擴(kuò)散的高溫）；這使得雜質(zhì)互擴(kuò)散而使外延層-襯底界面兩側(cè)的雜質(zhì)出現(xiàn)重新再分布是必然的。討論了界面雜質(zhì)再分布的結(jié)果，指出結(jié)果總是使低雜質(zhì)濃度一側(cè)的雜質(zhì)濃度（同型）和性質(zhì)（異型）起變化。介紹了 常規(guī)器件結(jié)構(gòu)中外延層-襯底界面的雜質(zhì)分布，包括常見的分離器件的N /N (P /P )結(jié)構(gòu)中外延層-襯底雜質(zhì)再分布、常規(guī)集成電路中N /P 外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布、常規(guī)集成電路制造中外延層-襯底界面的雜質(zhì)互擴(kuò)散（外延層向襯底的推移、埋層的反擴(kuò)散）。

課程難點(diǎn)：外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布是由擴(kuò)散引起的；在什么條件下才能出現(xiàn)外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布的現(xiàn)象；界面雜質(zhì)再分布的結(jié)果分析；常見的分離器件的N /N (P /P )結(jié)構(gòu)中外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布的形式及其雜質(zhì)再分布的結(jié)果分析；常規(guī)集成電路中N /P 外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布的形式及其雜質(zhì)再分布的結(jié)果分析；常規(guī)集成電路制造中外延層-埋層-襯底界面的埋層的反擴(kuò)散的擴(kuò)散形式、埋層上反擴(kuò)散分析、埋層下反擴(kuò)散分析及埋層上反擴(kuò)散時的表達(dá)式及其分析。

基本要求：要求知道為什么外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布是由擴(kuò)散引起的。知道外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布在什么條件下才會發(fā)生，而這些條件與擴(kuò)散所要求的條件是否一致。要求清楚的知道外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布的結(jié)果，知道在什么條件下會使低雜質(zhì)濃度一側(cè)的雜質(zhì)濃度起變化、如何起變化；知道在什么條件下會使低雜質(zhì)濃度一側(cè)的性質(zhì)起變化、起怎樣的變化 。要求熟悉常規(guī)器件結(jié)構(gòu)中各種外延層-襯底界面的雜質(zhì)的再分布，知道它們的雜質(zhì)分布形式有什么不同；各種雜質(zhì)分布形式的雜質(zhì)分布表達(dá)式；能夠進(jìn)行各種雜質(zhì)分布表達(dá)式的分析；能夠知道各種雜質(zhì)分布形式在實(shí)際器件制造中的應(yīng)用。