硅-硅直接鍵合工藝是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，受許多客觀的工藝條件和工藝水平的限制。硅-硅直接鍵合工藝還沒(méi)有象IC工藝發(fā)展的那樣成熟，對(duì)工藝的各項(xiàng)單項(xiàng)工藝的結(jié)果進(jìn)行計(jì)算模擬，為設(shè)計(jì)工藝條件提供可靠的依據(jù)。本章主要工作是建立硅-硅直接鍵合單項(xiàng)工藝的物理數(shù)學(xué)模型，根據(jù)實(shí)際的工藝條件推導(dǎo)出它們的理論結(jié)果，對(duì)硅片鍵合的結(jié)果進(jìn)行預(yù)測(cè)，并且與實(shí)際其它測(cè)量設(shè)備的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行比較，改進(jìn)和完善工藝的物理數(shù)學(xué)模型，建立一套完整的鍵合工藝IP庫(kù)，使鍵合工藝象IC工藝一樣可以直接模擬。目前，主要進(jìn)行了三方面的工作：（1）硅-硅直接鍵合的雜質(zhì)分布，包括了退火溫度、退火時(shí)間、雜質(zhì)濃度和類(lèi)型、界面本征氧化層等影響雜質(zhì)分布的因素；（2）硅-硅直接鍵合界面應(yīng)力分布，包括了兩個(gè)厚硅片的鍵合情況和一個(gè)厚硅片和一個(gè)薄硅片的鍵合情況；（3）硅-硅直接鍵合的鍵合強(qiáng)度，主要是受退火溫度和時(shí)間、鍵合硅片的表面氧化層情況等影響因素。在研究工藝過(guò)程和物理數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，用Matlab軟件編寫(xiě)相應(yīng)的模擬軟件，可以對(duì)硅-硅直接鍵合主要工藝進(jìn)行模擬。