均勻摻雜的半導(dǎo)體只有很少的應(yīng)用。幾乎所有的固態(tài)器件都是由多個P型和N型區(qū)域組合而成。P型和N型區(qū)域之間的交界面就被稱為PN結(jié)，或簡單的稱為結(jié)。

.8A中是兩片硅。左邊是一塊P型硅，右邊則是一塊N型硅。只要他們之間沒有接觸就沒有結(jié)。每塊硅里都有均勻分布的載流子。P型硅里有大量的多數(shù)載流子空穴和一些電子，而N型硅里有大量的多數(shù)載流子電子和一些空穴。
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.8 硅中載流子在結(jié)形成前（A）和形成后（B）的分布。

現(xiàn)在，假設(shè)這兩塊硅互相接觸而形成一個結(jié)。連接之后沒有對載流子運動有影響的物理障礙。在P型硅中就有大量過剩的空穴，而在N型硅中有大量過剩的電子。一些空穴就從P型硅中擴散到了N型硅中。一樣的，也有一些電子從N型硅中擴散到了P型硅中。.8B就是擴散后的結(jié)果。許多載流子沿著結(jié)往兩個方向擴散。兩邊的少數(shù)載流子的濃度都上升到超過靠單獨摻雜能達到的水平。沿著結(jié)由擴散所造成的過剩的少數(shù)載流子被稱為過剩少數(shù)載流子濃度。