晶體管的電流放大能力等于集電極電流比上基極電流。這個(gè)比值有很多名字，包括電流增益和beta。不同的作者又對(duì)它也使用不同的符號(hào)，包括β和h_FE。一個(gè)典型的集成NPN晶體管的beta值是大約等于150。某些特殊的器件的beta的值可能超過10000。晶體管的beta取決于圖1.20中的兩種復(fù)合過程。

基極復(fù)合主要發(fā)生在兩個(gè)耗盡區(qū)之間的基極區(qū)，這個(gè)區(qū)叫neutral base 區(qū)。有三個(gè)因素影響基極區(qū)的復(fù)合率：neutral base的寬度，基區(qū)摻雜和復(fù)合中心的濃度。薄的基區(qū)縮短了少數(shù)載流子需要穿越的距離，同時(shí)也降低了復(fù)合的可能性。同樣的，輕摻雜的基區(qū)因?yàn)檩^低的多數(shù)載流子的濃度而使復(fù)合的可能性降低。Gummel number Q_B能同時(shí)反應(yīng)這些效果。它是通過沿著橫貫neutral base區(qū)的一條線集成雜質(zhì)原子濃度計(jì)算出來的。在均勻摻雜的情況下，Gummel number等于基區(qū)雜質(zhì)濃度乘以neutral base的寬度。Beta 和Gummel number成反比。

晶體管的開關(guān)速度主要和基區(qū)中能多快地去除過剩少數(shù)載流子有關(guān)。去除的方法要么通過基極引線端要么通過復(fù)合。有時(shí)故意在雙極型晶體管中摻雜金來增加復(fù)合中心的數(shù)量。提高的復(fù)合率能幫助加快晶體管的開關(guān)速度，但它也同時(shí)降低了晶體管的beta。由于低beta，很少有模擬集成電路中用摻雜金工藝的。

雙極型晶體管通常用輕摻雜的基極和重?fù)诫s的發(fā)射極。這么做是為了保證大多數(shù)的穿過基極－發(fā)射極結(jié)的由載流子組成的電流能從發(fā)射極注入基極，而不是相反。重?fù)诫s提高了發(fā)射極的復(fù)合率，但這個(gè)效果有限因?yàn)橹挥泻苌俚妮d流子被注入發(fā)射極。注入發(fā)射極的電流和注入基極電流的比值被稱為emiter injection efficiency。

大多數(shù)NPN晶體管使用寬的，輕摻雜的集電極，重?fù)诫s的發(fā)射極和薄的，適度摻雜的基極。輕摻雜的集電極在neutral base中能形成一個(gè)寬的耗盡區(qū)。這樣就能不用雪崩擊穿集電極－基極結(jié)而獲得一個(gè)比較高的集電極工作電壓。不對(duì)稱摻雜的發(fā)射極和集電極也解釋了為什么雙極型晶體管在對(duì)調(diào)這兩端后會(huì)工作不正常。（9 這個(gè)僅僅是部分的原因，當(dāng)它處于reverse active模式時(shí)有效基區(qū)寬度也增大了。）beta為150的典型的集成NPN晶體管的reverse beta小于5。這個(gè)差別主要是因?yàn)檩p摻雜的集電極代替重?fù)诫s的發(fā)射極引起的劇烈的emitter injection efficiency的降低。

Beta也和集電極電流有關(guān)。Beta會(huì)因?yàn)榈偷穆╇娏骱秃谋M區(qū)的低復(fù)合率而降低。當(dāng)有適當(dāng)?shù)碾娏鲿r(shí)，這些因素就不重要了，晶體管的beta上升到一個(gè)以上討論的機(jī)制決定的峰值。大的集電極電流產(chǎn)生high-level injection效應(yīng)而使beta roll off。當(dāng)基極中少數(shù)載流子的濃度接近多數(shù)載流子的濃度時(shí)，會(huì)有額外的多數(shù)載流子積累來維持電荷平衡。這些額外的基極多數(shù)載流子降低了emitter injection efficiency，反過來它又降低了beta。大多數(shù)晶體管工作在一個(gè)適度的電流下而避免beta roll-off， 但功率晶體管由于尺寸限制必須經(jīng)常工作在high-level injection下。

PNP管和NPN管很相似。相同尺寸和摻雜程度的PNP管的beta小于NPN管，因?yàn)榭昭ǖ囊苿?dòng)能力比電子低。多數(shù)情況下，PNP管的表現(xiàn)很差，因?yàn)镹PN管有做過優(yōu)化，而PNP沒有。比如，NPN管基極區(qū)的材料經(jīng)常被用來制造PNP管的發(fā)射極。因此終的發(fā)射極相對(duì)來說都是輕摻雜的，emitter injection efficiency很低，在適當(dāng)?shù)碾娏鳡顟B(tài)下也會(huì)發(fā)生high-level injection。除了這些缺點(diǎn)，PNP管也是非常有用的器件，大多數(shù)雙極型工藝也能生產(chǎn)他們。