FSI國(guó)際宣布在硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)取得突破
出處：大金 發(fā)布于：2007-12-24 09:14:06
鎳鉑硅化物早應(yīng)用于65nm邏輯器件，因?yàn)樗淖杩垢停瑥亩蓪?shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但在早期應(yīng)用中，業(yè)界發(fā)現(xiàn)在不損害鎳鉑硅化物區(qū)域的情況下，去除未反應(yīng)的鎳和鉑是非常有挑戰(zhàn)性的。在2005年，F(xiàn)SI憑借其新開發(fā)的鎳鉑剝離工藝解決了這一問題。
隨著業(yè)界使用鎳鉑硅化物的經(jīng)驗(yàn)增加，IC制造商觀察到更低的硅化物形成溫度可降低結(jié)泄漏電流。不過，這一溫度更低的工藝在金屬去除步驟中帶來了其它的復(fù)雜性，并使得高良率的集成方案無法實(shí)現(xiàn)。新的基于FSI ViPR™的工藝沒有這一限制，從而使得這樣一個(gè)低成本、高良率低溫退火鎳鉑硅化物工藝得以實(shí)現(xiàn)。
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