Corporation宣布推出半導體業(yè)界4兆位（Mb）FRAM存儲器
出處：t14495716 發(fā)布于：2007-11-20 10:08:41
Corporation宣布推出半導體業(yè)界4兆位(Mb)FRAM存儲器，這是目前容量的FRAM產(chǎn)品，其容量是原有FRAM存儲器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)和低功耗等特點。FM22L16與異步靜態(tài)RAM(SRAM)在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機器人、網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)存儲應用、多功能打印機、自動導航系統(tǒng)，以及許多以SRAM為基礎的系統(tǒng)設計。
產(chǎn)品特點
FM22L16是256K×16非易失性存儲器，采用工業(yè)標準并行接口實現(xiàn)存取，存取的時間為55ns，周期為110ns。該器件以“無延遲” (No Delay)寫入的總線速度進行讀寫操作，耐久性至少為1e14(100萬億)次寫入和10年的數(shù)據(jù)保存能力。
這種4Mb FRAM是標準異步SRAM完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因為它在進行數(shù)據(jù)備份時不需電池，并且具有單片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安裝解決方案，與SRAM不同的是它不再需要電池而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動特性。
FM22L16備有便于與現(xiàn)今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁面模式，可以高達40MHz的速度進行4字節(jié)Burst讀/寫操作，這比普通RAM的總線速度高出很多。該器件較標準SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM22L16在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi)(-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V電壓工作。
價格和現(xiàn)貨
FM22L16的工程樣件現(xiàn)已提供，該器件采用符合RoHS要求的44腳TSOP-II封裝，訂購10,000件的起價為19美元。
關鍵詞：Corporation宣布推出半導體業(yè)界首個4兆位（Mb）FRAM存儲器
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