高性能模擬信號路徑芯片產(chǎn)品供應(yīng)商美國國家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出三款全新的信號調(diào)節(jié)緩沖器，這是該公司一系列LVDS芯片的型號。這幾款緩沖器都設(shè)有傳送預(yù)加重及接收均衡功能，而且即使以高達(dá)3.125Gbps的速度傳送信號，也只有極少的抖動，功耗也比上一代的緩沖器少，是業(yè)界首系列同時具備這些優(yōu)點(diǎn)的LVDS芯片。美國國家半導(dǎo)體將會在今年內(nèi)陸續(xù)推出另外十一款具備相若功能的LVDS芯片產(chǎn)品，其中包括交叉點(diǎn)開關(guān)、多路切換器/緩沖器以及分離器。

      美國國家半導(dǎo)體的DS25BR100、DS25BR110及DS25BR120都是單通道的LVDS緩沖器，即使傳輸速度高達(dá)3.125Gbps，仍可確保信號完整無缺。這三款芯片具有業(yè)界的9ps抖動(典型值)，而且功率只有100mW，也屬于業(yè)界的水平。美國國家半導(dǎo)體這幾款LVDS緩沖器能以極高速度驅(qū)動FR-4底板及電纜上的信號，適用于通信設(shè)備、儲存以及成像系統(tǒng)。例如，這幾款芯片能以2.5Gbps的速度驅(qū)動10米長的InfiniBand電纜或40英吋的FR4底板，而均衡器輸出端的殘余抖動只有0.15UI。新一代串行數(shù)字接口(SDI)廣播級視頻路由器及家庭影院數(shù)字視覺接口(DVI)互連電纜也可利用這幾款緩沖器加強(qiáng)信號強(qiáng)度。

      這幾款LVDS緩沖器可以提供7kV的靜電釋放保護(hù)與信號緩沖，適用於新一代的90nm、65nm現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)以及專用集成電路(ASIC)。

      主要技術(shù)規(guī)格及特色

      這幾款3.125Gbps的DS25BR1xx芯片都采用8引腳的LLP封裝，并設(shè)有全差分信號路徑，可確保信號完整無缺，又可大大加強(qiáng)信號路徑的抗噪聲干擾能力。DS25BR100芯片設(shè)有兩級的傳送預(yù)加重及接收均衡功能，因此是中繼器的理想之選。DS25BR120芯片設(shè)有四級的預(yù)加重，因此是理想的高性能驅(qū)動器，而DS25BR110芯片則設(shè)有四級的均衡功能，適宜用作高性能接收器。

      LLP封裝體積小巧，大小只有3mm x 3mm，不但可以節(jié)省電路板板面空間，而且其中的流通式引腳圖可以將芯片的內(nèi)部抖動減至少，使電路板的設(shè)計(jì)工作變得更為容易。這幾款緩沖器都可支持LVDS、CML及LVPECL輸入，而輸出則全面符合LVDS標(biāo)準(zhǔn)。差分輸入及輸出端都內(nèi)置100-Ohm的電阻，以便降低芯片輸入及輸出的回波損耗，減少元件數(shù)目，以及進(jìn)一步將電路板板面縮至。