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NTD5807NT4G

更新時間:2025-06-22 14:48:59

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深圳市誠研翔科技有限公司
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NTD5807NT4G外觀圖

NTD5807NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD5807NT4G 概述

NTD5807NT4G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TSOP-6封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為30mΩ。其漏源擊穿電壓為30V，適用于高頻開關應用場合。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關和電源管理電路中。在便攜式設備如智能手機和平板電腦的電源管理模塊中，NTD5807NT4G能有效降低功耗并提高效率。使用時需注意驅動電壓要足夠以確保MOSFET完全導通，同時在布線時盡量減小寄生電感以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。設計電路時應參考具體的應用需求選擇合適的外圍元件參數(shù)，例如柵極電阻值等。

NTD5807NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
23A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
603pF @ 25V
功率 - 最大
33W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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NTD5807NT4G
NTD50N03
NTD50N03R
NTD5406N
NTD5406NG
NTD5406NT4G
NTD5407NT4G
NC7SP125P5X

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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