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NTD5414NT4G

更新時間:2025-06-09 12:25:56

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NTD5414NT4G外觀圖

NTD5414NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD5414NT4G 概述

NTD5414NT4G是一款由安森美半導體生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的功率Trench技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用場合。其最大漏源電壓為30V，在連續(xù)漏極電流下可承受高達14A的電流強度。典型應(yīng)用場景包括電源管理、負載切換以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效能晶體管的領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，建議確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的電壓以完全開啟MOSFET，并且注意散熱設(shè)計，防止因過熱導致性能下降或損壞。此元件常用于消費電子設(shè)備如手機充電器、筆記本電腦適配器中，也可應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)的電源部分。

NTD5414NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
24A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
37 毫歐 @ 24A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
功率 - 最大
55W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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