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NTD5804NT4G

更新時間:2025-06-15 11:36:25

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NTD5804NT4G外觀圖

NTD5804NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 40V 69A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD5804NT4G 概述

NTD5804NT4G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適用于需要高密度和高效能的應用場景。其典型導通電阻較低，有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。此MOSFET廣泛應用于負載開關、電源管理電路及DC-DC轉換器中。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，它能夠有效管理電池供電的各個模塊間的功率分配。此外，在工業(yè)控制和汽車電子領域也有應用潛力。使用時應注意遵循推薦的最大電壓與電流限制，以確?？煽窟\行。例如，在設計一個簡單的負載開關電路時，可將此MOSFET串聯(lián)于電源路徑上，并通過GPIO信號控制柵極來實現(xiàn)對下游電路的通斷控制。同時要關注散熱設計，避免過熱損壞。

NTD5804NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
69A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.5 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2850pF @ 25V
功率 - 最大
71W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD5804NT4GOSTR

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