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NTB30N06T4

更新時間:2025-06-11 21:31:22

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市金華微盛電子有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳華盛半導體集團有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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芯德微聯（深圳）電子有限公司
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ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NTB30N06T4 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
27A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
42 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
46nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
功率 - 最大
88.2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTB30N06T4OS

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