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IXTV26N60P

更新時間:2025-07-17 18:05:42

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IXTV26N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220

封裝:TO-220-3（SMT）標片

IXTV26N60P 概述

IXTV26N60P是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET，采用先進的Trench技術制造。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達26A，適合在高電壓、大電流條件下工作。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動以及開關電源等需要高效能量轉換的領域。由于其優(yōu)化的開關性能和熱阻特性，有助于提升系統(tǒng)整體效率并減少散熱需求。在實際應用中，建議在柵極驅動電路中使用合適的電阻以控制開關速度，并確保柵極電壓在安全范圍內。對于高壓應用，需特別注意PCB布局以優(yōu)化電磁兼容性，避免不必要的噪聲干擾。

IXTV26N60P 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
26A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4150pF @ 25V
功率 - 最大
460W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3（SMT）標片
供應商設備封裝
PLUS220
包裝
管件

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