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IXTY1N80

更新時間:2025-05-16 18:31:13

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IXTY1N80外觀圖

IXTY1N80

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IXTY1N80 概述

IXTY1N80是IXYS公司生產的一款高壓MOSFET。該器件采用TO-251封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為1A，能夠承受較高的電壓和電流應力，適合于各種功率轉換和控制電路中。典型應用場景包括開關電源、逆變器、電機驅動以及照明系統中的電子鎮(zhèn)流器等。在這些應用中，IXTY1N80可以有效提高系統效率，減少熱損耗，并且由于其快速的開關速度，有助于減小整個系統的尺寸和重量。使用時應注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內，避免過熱損壞。對于需要高電壓處理能力的小功率應用，這款MOSFET是一個理想的選擇。

IXTY1N80 規(guī)格參數

標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
750mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
220pf @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252AA
包裝
散裝

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