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IXTU1R4N60P

更新時間:2025-05-19 08:07:36

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IXTU1R4N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

封裝:TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

IXTU1R4N60P 概述

IXTU1R4N60P是英飛凌科技公司生產的一款功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源轉換應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，能夠滿足多種高壓應用需求。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動以及工業(yè)電源系統(tǒng)等。在實際應用中，IXTU1R4N60P可幫助設計者實現(xiàn)緊湊高效的電路布局，減少熱損耗并提高整體效率。使用時需注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保足夠的散熱措施。對于需要高可靠性及長壽命的應用場合，這款MOSFET是一個理想的選擇。建議在設計階段參考英飛凌提供的最新數(shù)據手冊進行詳細參數(shù)確認。

IXTU1R4N60P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 歐姆 @ 700mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應商設備封裝
TO-251
包裝
管件

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