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IXTP12N50PM

更新時間:2025-05-15 19:37:02

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IXTP12N50PM外觀圖

IXTP12N50PM

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 6A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP12N50PM 概述

IXTP12N50PM是一款由IXYS公司生產的高性能功率MOSFET，采用先進的Trench技術制造。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時可達12A。該MOSFET設計用于提高效率并減少功耗，在電源管理、DC-DC轉換器以及電機驅動等工業(yè)應用中表現(xiàn)出色。在具體應用中，IXTP12N50PM可用于構建高效能的開關電源電路。例如，在反激式變換器中作為主開關管使用，能夠有效降低開關損耗，提升整體系統(tǒng)效率。設計時應注意散熱處理，確保MOSFET工作在安全溫度范圍內，避免過熱損壞。此外，合理選擇柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關速度也是實際應用中的關鍵點之一。

IXTP12N50PM 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Polar™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
500 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1830pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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