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IXTP2N100

更新時間:2025-05-25 02:22:15

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產(chǎn)品型號
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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IXTP2N100外觀圖

IXTP2N100

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IXTP2N100 概述

IXTP2N100是IXYS公司生產(chǎn)的一款高壓MOSFET。該器件具有非常低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，額定電壓為1000V，適用于需要高耐壓和高效能的功率管理應(yīng)用。其優(yōu)化的設(shè)計使得它在高頻開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機(jī)驅(qū)動和照明控制等場合表現(xiàn)出色。在電路設(shè)計中，建議合理布局以減少寄生電感對開關(guān)性能的影響，并確保良好的散熱設(shè)計以維持穩(wěn)定工作溫度。使用時注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，以保證MOSFET能夠完全開通與關(guān)斷，避免不必要的功率損耗。

IXTP2N100 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
825pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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IXTP08N100D2
IXTP08N120P
IXTP08N50D2
IRF7404

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