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IXTP12N50P

更新時間:2025-05-27 12:06:08

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IXTP12N50P外觀圖

IXTP12N50P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP12N50P 概述

IXTP12N50P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高壓MOSFET，具備出色的導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能。該器件采用TO-220封裝形式，適用于需要高效率和緊湊設(shè)計的應(yīng)用場景?；A(chǔ)描述方面，其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達(dá)12A，非常適合中高功率應(yīng)用。由于其低柵極電荷和低反向傳輸電容特性，在高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及逆變器等場合表現(xiàn)出色。在實(shí)際應(yīng)用中，建議合理選擇驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，同時注意散熱設(shè)計，確保器件在安全工作區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。電路設(shè)計時需考慮適當(dāng)?shù)木彌_電路來減少電壓尖峰對MOSFET的影響。

IXTP12N50P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Polar™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
500 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1830pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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IXTP10P15T
IR2110S

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