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IXFN36N60

更新時間:2025-05-22 22:41:34

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IXFN36N60外觀圖

IXFN36N60

IXYS FET

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN36N60 概述

IXFN36N60是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用N溝道設計，具有600V的漏源電壓額定值和36A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率，特別適合于高頻率開關電源應用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、逆變器和高頻DC-DC轉換器等工業(yè)電源系統(tǒng)。在這些應用中，IXFN36N60能夠提供快速開關速度和卓越的熱性能，確保設備穩(wěn)定運行。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關特性，并確保散熱設計滿足要求。建議在實際電路設計中參考官方提供的數(shù)據(jù)手冊進行PCB布局，特別是柵極回路和源極連接部分，以最小化寄生電感影響。對于高可靠性應用，考慮添加適當?shù)谋Ｗo電路如過流和過溫保護。

IXFN36N60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
36A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
325nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9000pF @ 25V
功率 - 最大
520W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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