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IXFN44N80

更新時間:2025-06-09 14:11:51

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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中科航電（深圳）電子集團有限
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昆山隆誠翔電子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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上海熠富電子科技有限公司
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IXFN44N80外觀圖

IXFN44N80

IXYS FET

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN44N80 概述

IXFN44N80是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET，采用先進的半導體工藝制造。這款MOSFET具有低導通電阻和高耐壓特性，最大漏源電壓可達800V，連續(xù)漏極電流為44A。其優(yōu)化的柵極電荷使得開關速度更快，適用于高頻應用。該型號常用于電源管理、逆變器、UPS系統(tǒng)以及工業(yè)控制設備等需要高效能開關器件的場合。在具體應用中，建議關注散熱設計，確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。由于其高耐壓特點，在高壓電路設計時需注意PCB布局，盡量減小寄生電感影響，避免電壓尖峰損壞器件。使用時應根據(jù)實際負載選擇合適的驅(qū)動電阻，以優(yōu)化開關性能并減少EMI干擾。

IXFN44N80 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
44A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
165 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
380nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
10000pF @ 25V
功率 - 最大
700W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IXFN106N20
IXFN110N60P3
IXFN120N20
IXFN130N30
IP4220CZ6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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