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IXFN34N100

更新時間:2025-05-16 19:12:07

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上海典宇電子科技有限公司
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IXFN34N100外觀圖

IXFN34N100

IXYS FET

MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN34N100 概述

IXFN34N100是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用IXYS先進的功率半導體技術(shù)，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于需要高效電力轉(zhuǎn)換的場合。其最大漏極-源極電壓可達1000V，連續(xù)漏極電流為34A，適合于高壓、大電流的應用場景。這款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動、焊接設備以及各類需要高效能量管理的系統(tǒng)中。在實際應用時，建議注意其散熱設計，以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。電路設計上，可以考慮使用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關(guān)特性，避免因過快的開關(guān)速度導致EMI問題。此外，在布局PCB時應盡量縮短高頻節(jié)點走線長度，減少寄生電感影響。

IXFN34N100 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
34A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
280 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
380nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9200pF @ 25V
功率 - 最大
700W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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