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IRFD420

更新時間:2025-05-18 02:06:43

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IRFD420 概述

IRFD420是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件設計用于多種低電壓應用，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（VDS）為60V，適合驅動電機、繼電器以及在電源管理電路中作為開關使用。由于其良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在工業(yè)控制和消費類電子產(chǎn)品中廣泛應用。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓應保持在規(guī)定范圍內(nèi)以確?？煽繉?，同時并聯(lián)合適的電容有助于抑制高頻噪聲，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。對于需要高效功率轉換和精確控制的應用場景，IRFD420是一個理想的選擇。

IRFD420 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD420
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
370mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 歐姆 @ 220mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD420

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