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IRFD9110

更新時間:2025-07-03 12:56:29

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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原裝現(xiàn)貨，歡迎實單，請加QQ

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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深圳市能元時代電子有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可免費供樣,支持BOM配單

深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市賽思爾科技有限公司
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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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IRFD9110 概述

IRFD9110是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效電源管理應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓為-100V，連續(xù)漏極電流為-7A。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機驅(qū)動以及各種開關(guān)模式電源電路。在這些應(yīng)用中，它能夠有效降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率。使用時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟，推薦的柵極電壓范圍是10V至20V。設(shè)計電路時要保證良好的散熱條件，建議根據(jù)實際工作電流選擇合適的散熱片，并注意PCB布局以減少寄生電感的影響。在高頻應(yīng)用中應(yīng)特別關(guān)注柵極電阻的選擇，以優(yōu)化開關(guān)性能。

IRFD9110 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD9110
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
700mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 歐姆 @ 420mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
200pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD9110

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IRFD024
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