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IRFD9110PBF

更新時間:2025-06-10 13:31:02

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市特萊科技有限公司
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北京八達順波電子技術有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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深圳市華盛錦科技有限公司
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IRFD9110PBF 概述

IRFD9110PBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏極電流可達35A，在柵極電壓為10V時，導通電阻僅為20mΩ。該MOSFET常用于電源管理電路、電機驅(qū)動以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等場合。在電源管理系統(tǒng)中，它能夠高效地進行電能的傳輸與控制；在電機驅(qū)動應用里，可提供快速且可靠的開關性能以確保電機穩(wěn)定運行；對于DC-DC轉(zhuǎn)換器而言，其較低的導通損耗有助于提高整體轉(zhuǎn)換效率。使用時應注意合理設計驅(qū)動電路，保證柵極電壓足夠使MOSFET完全導通，并且要考慮散熱措施，避免因過熱導致器件損壞。例如，在一個簡單的降壓電路中，可以將此MOSFET作為開關管，配合合適的電感、電容和控制芯片實現(xiàn)穩(wěn)定的電壓輸出。

IRFD9110PBF 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD9110
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
700mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 歐姆 @ 420mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
200pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD9110PBF

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IRFD9110PBF
IRFD010
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IRFD024
IRFD024PBF
IRF3205

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