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IRF6662

更新時間:2025-05-17 09:17:58

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說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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只做原裝,專注海外現貨訂購20年

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艾潤（香港）電子有限公司
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原廠品牌
-/-
原裝部分現貨量大期貨

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只售全新原裝

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中科航電（深圳）電子集團有限
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IRF6662 規(guī)格參數

典型關斷延遲時間
24 ns
典型接通延遲時間
11 ns
典型柵極電荷@Vgs
22 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
1360 pF V @ 25
安裝類型
表面貼裝
寬度
5.05mm
封裝類型
DirectFET MZ
尺寸
5.45 x 5.05 x 0.6mm
引腳數目
7
最低工作溫度
-40 °C
最大功率耗散
2800 mW
最大柵源電壓
±20 V
最大漏源電壓
100 V
最大漏源電阻值
0.022
最大連續(xù)漏極電流
8.3 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
雙源、四漏極、單
長度
5.45mm
高度
0.6mm

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IRF6662TR1
IRF6662TRPBF
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