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IRF6668TRPBF

更新時間:2025-05-16 23:22:50

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查

深圳誠思涵科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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深圳市匯萊威科技有限公司
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INFINEON/英飛凌
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一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126

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只做原裝合作一次終身受益

深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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NEXPERIA/安世
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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100%原裝現(xiàn)貨可開17%增票可申請樣品

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IRF6668TRPBF外觀圖

IRF6668TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET

封裝:DirectFET? 等容 MZ

IRF6668TRPBF 概述

IRF6668TRPBF是一款由國際整流器公司（現(xiàn)屬于英飛凌）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的HEXFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源轉換應用。其最大漏源電壓為40V，連續(xù)漏極電流能力達到100A，非常適合用于同步整流、DC-DC轉換器及電機驅動等場合。封裝形式為PQFN 5x6，有助于節(jié)省電路板空間并提高熱性能。在實際應用中，需注意柵極驅動電路的設計以確保最佳的開關性能，并且要考慮到散熱管理，避免過熱導致的性能下降或損壞。此款MOSFET廣泛應用于計算機服務器電源、電信設備以及工業(yè)自動化領域。

IRF6668TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
55A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
15 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.9V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1320pF @ 25V
功率 - 最大
2.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
DirectFET? 等容 MZ
供應商設備封裝
DIRECTFET? MZ
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF6668TRPBFTR

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