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FDD8444

更新時間:2025-05-16 23:23:05

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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深圳市泰佳興電子有限公司
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FDD8444外觀圖

FDD8444

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 40V 145A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD8444 概述

FDD8444是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。這款MOSFET采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。該器件的最大漏極-源極電壓為40V，在25°C時的連續(xù)漏極電流可達12A。其典型應用包括直流-直流轉換器、負載開關以及電機驅動等需要高效功率控制的場合。由于具備較低的柵極電荷，它能夠在高頻條件下保持良好的效率表現(xiàn)，從而減少系統(tǒng)整體功耗并提高熱性能。在實際設計中，建議注意散熱設計以確保穩(wěn)定工作，并遵循制造商提供的最大額定值進行電路規(guī)劃。

FDD8444 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
145A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.2 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
116nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6195pF @ 25V
功率 - 最大
153W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD8444TR

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