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0;紋波(mv):≤1500;效率(η):≥75%;電壓調(diào)整度(v):≤2;負(fù)載調(diào)整度(v):≤5;輸出電壓過(guò)沖≤10%;輸出電壓延遲≤30ms。 3 電路設(shè)計(jì) 圖2所示是磁隔離反饋高壓電源的原理框圖,輸入濾波電路采用的是lc無(wú)源濾波電路,功率變換電路采用的是推挽變換電路和功率變壓器隔離設(shè)計(jì),輸出整流采用的是倍壓整流電路,輸出濾波采用的是電容濾波,必要時(shí)可以加入lc二次濾波,磁隔離反饋控制電路采用了磁隔離控制電路(uc3901)、磁隔離變壓器和整流濾波電路組成,pwm推挽控制電路采用uc3525進(jìn)行設(shè)計(jì)。 3.1 pwm電路設(shè)計(jì) 圖3所示是本系統(tǒng)的pwm控制電路。這個(gè)高壓電源的pwm主控芯片采用推挽控制芯片uc3525,該芯片的1腳接反饋控制信號(hào),內(nèi)部是比較放大器的反向輸入端,2腳內(nèi)部是比較放大器的正向輸入端,外部則通過(guò)電阻r19、r4設(shè)置放大器的基準(zhǔn)比較電壓,該電壓的值應(yīng)該小于反饋控制信號(hào)的最大值,由于本設(shè)計(jì)中的磁隔離反饋?zhàn)儔浩鞯脑驯仁?:1,反饋控制信號(hào)的最大值是2 v,所以2腳的電壓設(shè)置為1.8 v。c4、r5分別是振蕩電容和振蕩電阻,它們決定了uc3525的
bt,以避免集電極電流尖峰脈沖損壞igbt器件。 (2) 利用電流傳感器設(shè)計(jì)過(guò)流保護(hù)電路 (a) 利用電流傳感器進(jìn)行過(guò)流保護(hù)電路 (b) pwm控制電路的輸出驅(qū)動(dòng)波形圖 圖8 利用電流傳感器進(jìn)行過(guò)流保護(hù) 圖8(a)是利用電流傳感器進(jìn)行過(guò)流檢測(cè)的igbt保護(hù)電路,電流傳感器(sc)初級(jí)(1匝)串接在igbt的集電極電路中,次級(jí)感應(yīng)的過(guò)流信號(hào)經(jīng)整流后送至比較器ic1的同相輸入端,與反相端的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,ic1的輸出送至具有正反饋的比較器ic2,其輸出接至pwm控制器uc3525的輸出控制腳10。不過(guò)流時(shí),vavref,vb為高電平,c3充電使vc>vref,ic2輸出高電平(大于1.4v),關(guān)閉pwm控制電路。因無(wú)驅(qū)動(dòng)信號(hào),igbt關(guān)閉,而電源停止工作,電流傳感器無(wú)電流流過(guò),使va參數(shù),使pwm驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)閉時(shí)間t2>>t1,可保證電源進(jìn)入睡眠狀態(tài)。正反饋電阻r7保證ic2只有高、低電平兩種狀態(tài),d5,r1,c3充放電電路,保證ic2輸出不致在高、低電平之間頻繁變化,即igbt不致頻繁開(kāi)通、關(guān)斷而損壞。 (3) 綜合過(guò)流保護(hù)電路 圖9
摘要:介紹了一種利用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的逆變焊機(jī)的設(shè)計(jì)方案及工作原理,該技術(shù)降低了功率器件的開(kāi)關(guān)損耗,提高了逆變焊機(jī)的效率。關(guān)鍵詞:軟開(kāi)關(guān);逆變;逆變焊機(jī);零壓開(kāi)關(guān);零流開(kāi)關(guān);全橋 o 引言 逆變焊機(jī)技術(shù)經(jīng)歷了近十年的發(fā)展,逐步替代了落后的工頻晶閘管整流技術(shù)而進(jìn)入了高頻變換時(shí)代。在高頻變換技術(shù)進(jìn)程中又走過(guò)了它的初級(jí)階段即硬開(kāi)關(guān)pwm階段,于近年進(jìn)入了它的第二階段,即軟開(kāi)關(guān)pwm階段。 硬開(kāi)關(guān)pwm變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。技術(shù)成熟,適合批量生產(chǎn)。其主要芯片如tl494、uc3525等都比較穩(wěn)定可靠,這都是目前逆變焊機(jī)硬開(kāi)關(guān)pwm功率變換器仍得以廣泛應(yīng)用的主要原因。 所謂硬開(kāi)關(guān)pwm(脈沖寬度調(diào)制),是指在功率變換過(guò)程中電子開(kāi)關(guān)在開(kāi)通和關(guān)斷的瞬間處于大電流或高電壓的工作條件,所以它的工件可靠性差、效率低、電磁干擾極為嚴(yán)重。 所謂軟開(kāi)關(guān)技術(shù),是指在功率變換技術(shù)中,就是在主開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷和導(dǎo)通的瞬間,實(shí)現(xiàn)其兩端電壓或電流為零的技術(shù)。也就是術(shù)語(yǔ)中常說(shuō)的zvs(零壓開(kāi)關(guān))和zcs(零流開(kāi)關(guān))開(kāi)關(guān)技術(shù)。軟開(kāi)關(guān)pwm功率變換器技術(shù)足相對(duì)于硬開(kāi)關(guān)pwm技術(shù)的一次革命性發(fā)展,它確實(shí)在相當(dāng)程度上改善了電源產(chǎn)品的可靠
如圖所示是利用電流傳感器進(jìn)行過(guò)流檢測(cè)的igbt保護(hù)電路,電流傳感器(sc)初級(jí)(1匝)串接在igbt的集電極電路中,次級(jí)感應(yīng)的過(guò)流信號(hào)經(jīng)整流后送至比較器ic1的同相輸入端,與反相端的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,ic1的輸出送至具有正反饋的比較器ic2,其輸出接至pwm控制器uc3525的輸出控制腳10.不過(guò)流時(shí),va<vref,vb=0.2v,vc<vref,ic2輸出低電平,pwm控制器正常工作。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)流時(shí),電流傳感器檢測(cè)的整流電壓升高,va>vref,vb為高電平,c3充電使vc>vref,ic2輸出高電平(大于1.4v),關(guān)閉pwm控制電路。 因無(wú)驅(qū)動(dòng)信號(hào),igbt關(guān)閉,而電源停止工作,電流傳感器無(wú)電流流過(guò),使va<vref,vb=0.2v,c3經(jīng)r1放電,當(dāng)c3放電到使vc<vref時(shí),ic2又輸出低電平,電源重新進(jìn)入工作狀態(tài),如果過(guò)流繼續(xù)存在,保護(hù)電路又回復(fù)到原來(lái)的限流保護(hù)工作狀態(tài),反復(fù)循環(huán)使pwm控制電路的輸出驅(qū)動(dòng)波形處于間隔輸出狀態(tài),如圖8(b)所示波形。電位器rp1調(diào)整比較器過(guò)流動(dòng)作閾值。電容器c3經(jīng)d5快速充電,經(jīng)r1慢速放電,只要合理地選
3525頻率太低了我查過(guò)了,uc3525的頻率只有400k,太低了.不過(guò)仍然要謝謝你!
uc3525應(yīng)該也可以
ka3525應(yīng)該就是uc3525的兼容品,你在21ic找3525就可以找到好多pdf的,很經(jīng)典的芯片,用的人n多
想問(wèn)一下uc3525pwm芯片推動(dòng)mosfet問(wèn)題是不是一般需要在mosfet管的門極和uc3525pwm驅(qū)動(dòng)管腳之間加上一個(gè)小電阻和電容的并聯(lián)?想問(wèn)一下這樣做的理由是什么? 其中的電阻和電容各起什么作用阿?如何計(jì)算或者選擇這個(gè)電阻和電容的值呢?