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即從漏極到源極。電感l(wèi)1對于流經(jīng)q2和q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導通期間的開關損耗。圖4a描述了mosfet的導通過程。 為改善在這些特殊應用中體二極管的性能，研發(fā)人員開發(fā)出具有快速體二極管恢復特性mosfet。當二極管導通后被反向偏置，反向恢復峰值電流irrm較小，完成恢復所需要的時間更短(見圖3)。 圖3：具有快速體二極管恢復特性mosfet，反向恢復峰值電流較小，恢復時間縮短。 我們對比測試了標準的mosfet和快恢復mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如圖4b所示。在q1 mosfet(hf)的導通工作期間，開關損耗降低了65%。采用std5nk52zd時效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動空氣環(huán)境下，殼溫從60°c降低到50°c)。在這種拓撲中，mosfet內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管，采用具有快速體二極管恢復特性mosfet更為合適。 圖4：a) q2采用標準mosfet的開狀態(tài)操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet開狀態(tài)操作。
極管d2被反向偏置， n區(qū)的少數(shù)載流子進入p+體區(qū)，反之亦然。這種快速轉移導致大量的電流流經(jīng)二極管，從n-epi到p+區(qū)，即從漏極到源極。電感l(wèi)1對于流經(jīng)q2和q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導通期間的開關損耗。圖4a描述了mosfet的導通過程。 為改善在這些特殊應用中體二極管的性能，研發(fā)人員開發(fā)出具有快速體二極管恢復特性mosfet。當二極管導通后被反向偏置，反向恢復峰值電流irrm較小。 我們對比測試了標準的mosfet和快恢復mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如圖4b所示。在q1 mosfet(hf)的導通工作期間，開關損耗降低了65%。采用std5nk52zd時效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動空氣環(huán)境下，殼溫從60°c降低到50°c)。在這種拓撲中，mosfet內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管，采用具有快速體二極管恢復特性mosfet更為合適。 superfredmesh技術彌補了現(xiàn)有的fdmesh技術，具有降低導通電阻，齊納柵保護以及非常高的dv/dt性能，并采用了快速體-
到p+區(qū)，即從漏極到源極。電感l(wèi)1對于流經(jīng)q2和q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導通期間的開關損耗。圖4a描述了mosfet的導通過程。 為改善在這些特殊應用中體二極管的性能，研發(fā)人員開發(fā)出具有快速體二極管恢復特性mosfet。當二極管導通后被反向偏置，反向恢復峰值電流irrm較小，完成恢復所需要的時間更短(見圖3)。 圖3：具有快速體二極管恢復特性mosfet，反向恢復峰值電流較小，恢復時間縮短我們對比測試了標準的mosfet和快恢復mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如圖4b所示。在q1 mosfet(hf)的導通工作期間，開關損耗降低了65%。采用std5nk52zd時效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動空氣環(huán)境下，殼溫從60°c降低到50°c)。在這種拓撲中，mosfet內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管，采用具有快速體二極管恢復特性mosfet更為合適。 圖4：a) q2采用標準mosfet的開狀態(tài)操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet開狀態(tài)操作supe
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