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半導體硅片SC-2清洗技術
1 清洗液中的金屬附著現(xiàn)象在堿性清洗液中易發(fā)生，在酸性溶液中不易發(fā)生，并具有較強的去除晶片表面金屬的能力，但經(jīng)sc-1洗后雖能去除cu等金屬，而晶片表面形成的自然氧化膜的附著（特別是al）問題還未解決。2 硅片表面經(jīng)sc-2液洗后，表面si大部分以 o 鍵為終端結構，形成一層自然氧化膜，呈親水性。3 由于晶片表面的sio2和si不能被腐蝕，因此不能達到去除粒子的效果。a.實驗表明：據(jù)報道將經(jīng)過sc-2液，洗后的硅片分別放到添加cu的dhf清洗或hf+h2o2清洗液中清洗、硅片表面的cu濃度用dhf液洗為1014 原子/cm2，用hf+h2o2洗后為1010 原子/cm2。即說明用hf+h2o2液清洗去除金屬的能力比較強，為此近幾年大量報導清洗技術中，常使用hf+h2o2來代替dhf清洗。來源:零八我的愛
半導體硅片的化學清洗技術-硅片的化學清洗工藝原理
3為基礎的硅片化學清洗技術。目前常用h2o2作強氧化劑，選用hcl作為h+的來源用于清除金屬離子。 sc-1是h2o2和nh4oh的堿性溶液，通過h2o2的強氧化和nh4oh的溶解作用，使有機物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除。由于溶液具有強氧化性和絡合性，能氧化cr、cu、zn、ag、ni、co、ca、fe、mg等使其變成高價離子，然后進一步與堿作用，生成可溶性絡合物而隨去離子水的沖洗而被去除。為此用sc-1液清洗拋光片既能去除有機沾污，亦能去除某些金屬沾污。 sc-2是h2o2和hcl的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與cl-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。在使用sc-1液時結合使用兆聲波來清洗可獲得更好的效果。總結: 1. 用rca法清洗對去除粒子有效，但對去除金屬雜質(zhì)al、fe效果很小。2. dhf清洗不能充分去除cu，hpm清洗容易殘留al。3. 有機物，粒子、金屬雜質(zhì)在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前還不能實現(xiàn)。4. 為了去除粒子，應使用改進的sc-1液
半導體硅片RCA清洗技術
傳統(tǒng)的rca清洗技術：所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統(tǒng) 清洗工序： sc-1 → dhf → sc-2 1. sc-1清洗去除顆粒：⑴ 目的：主要是去除顆粒沾污（粒子）也能去除部分金屬雜質(zhì)。⑵ 去除顆粒的原理：硅片表面由于h2o2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被nh4oh腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。① 自然氧化膜約0.6nm厚，其與nh4oh、h2o2濃度及清洗液溫度無關。② sio2的腐蝕速度，隨nh4oh的濃度升高而加快，其與h2o2的濃度無關。③ si的腐蝕速度，隨nh4oh的濃度升高而快，當?shù)竭_某一濃度后為一定值，h2o2濃度越高這一值越小。④ nh4oh促進腐蝕，h2o2阻礙腐蝕。⑤ 若h2o2的濃度一定，nh4oh濃度越低，顆粒去除率也越低，如果同時降低h2o2濃度,可抑制顆粒的去除率的下降。⑥ 隨著清洗洗液溫度升高，顆粒去除率也提高，在一定溫度下可達最大值。⑦ 顆粒去除率與硅片表面腐蝕量有關，為確保顆粒的去除要有一定量以上的腐蝕。⑧ 超聲波清洗時，由于空洞