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半導(dǎo)體硅片SC-2清洗技術(shù)
1 清洗液中的金屬附著現(xiàn)象在堿性清洗液中易發(fā)生,在酸性溶液中不易發(fā)生,并具有較強(qiáng)的去除晶片表面金屬的能力,但經(jīng)SC-1洗后雖能去除Cu等金屬,而晶片表面形成的自然氧化膜的附著(特別是Al)問題還未解決。
2 硅片表面經(jīng)SC-2液洗后,表面Si大部分以 O 鍵為終端結(jié)構(gòu),形成一層自然氧化膜,呈親水性。
3 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蝕,因此不能達(dá)到去除粒子的效果。
a.實(shí)驗(yàn)表明:
據(jù)報(bào)道將經(jīng)過SC-2液,洗后的硅片分別放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu濃度用DHF液洗為1014 原子/cm2,用HF+H2O2洗后為1010 原子/cm2。即說明用HF+H2O2液清洗去除金屬的能力比較強(qiáng),為此近幾年大量報(bào)導(dǎo)清洗技術(shù)中,常使用HF+H2O2來代替DHF清洗。
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