HY64UD16322A
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
HY64UD16322A
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
HY64UD16322A
19550
-/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
HY64UD16322A-D70E
3560
FBGA/09+
原裝,公司現(xiàn)貨
HY64UD16322A-D70E
890000
MQFP44/26+
一級總代理商原廠原裝大批量現(xiàn)貨一站式服務(wù)微信同步
HY64UD16322ADF70E
6000
-/-
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
HY64UD16322A
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX
HY64UD16322APDF下載
HY64UD16322A
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX [Hynix Semiconductor]
HY64UD16322APDF下載
HY64UD16322A-E
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX
HY64UD16322A-EPDF下載
HY64UD16322A-E
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX [Hynix Semiconductor]
HY64UD16322A-EPDF下載
HY64UD16322A-I
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX
HY64UD16322A-IPDF下載
HY64UD16322A-I
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX [Hynix Semiconductor]
HY64UD16322A-IPDF下載
HY64UD16322A-DF70E
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX
HY64UD16322A-DF70EPDF下載
HY64UD16322A-DF70E
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX [Hynix Semiconductor]
HY64UD16322A-DF70EPDF下載
HY64UD16322A-DF70I
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX
HY64UD16322A-DF70IPDF下載
HY64UD16322A-DF70I
2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseu...
HYNIX [Hynix Semiconductor]
HY64UD16322A-DF70IPDF下載
要對大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲和讀取,而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)很好地適應(yīng)了這些要求,是傳統(tǒng)ram無法達(dá)到的。許多系統(tǒng)都需要大容量fifo作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個(gè)fifo芯片級聯(lián)擴(kuò)展,這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本高。本文分別針對hynix公司的兩款sram和dram器件,介紹了使用cpld進(jìn)行接口連接和編程控制,來構(gòu)成低成本、大容量、高速度fifo的方法。該方法具有通用性,可以方便地移植到與其他ram器件相連的應(yīng)用中去[1]。 2基于sram的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 2.1 sram結(jié)構(gòu)芯片hy64ud16322a靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器sram(static random access memory)是一種非常重要的易失性存儲器,它的速度非常快,并且能在快速讀取和刷新時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。本系統(tǒng)sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速、超低功耗32 mbit sram,內(nèi)部具有2 097 152個(gè)16 bit字容量。采用了cmos制造工藝、ttl電平接口以及三態(tài)輸出,具有較大的輸入電壓和溫度范圍。同時(shí)hy64ud16322a支持dpd(deep power d
據(jù)進(jìn)行快速存儲和讀取,而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)很好地適應(yīng)了這些要求,是傳統(tǒng)ram無法達(dá)到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量fifo作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個(gè)fifo芯片級聯(lián)擴(kuò)展,這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本高。本文分別針對hynix公司的兩款sram和dram器件,介紹了使用cpld進(jìn)行接口連接和編程控制,來構(gòu)成低成本、大容量、高速度fifo的方法。該方法具有通用性,可以方便地移植到與其他ram器件相連的應(yīng)用中去[1]。 2基于sram的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 2.1 sram結(jié)構(gòu)芯片hy64ud16322a 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器sram(static random access memory)是一種非常重要的易失性存儲器,它的速度非???,并且能在快速讀取和刷新時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。本系統(tǒng)sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速、超低功耗32 mbit sram,內(nèi)部具有2 097 152個(gè)16 bit字容量。采用了cmos制造工藝、ttl電平接口以及三態(tài)輸出,具有較大的輸入電壓和溫度范圍。同時(shí)hy64ud16322a支持dpd(deep power
HYB18L256160BF-7.5 HYB25L256160AC-7.5 HYB25L256160AF-7.5 HYB39L128160AT-7.5 HYBRID HYF33DS512800ATC HYM1302 HYM1615 HYM2596 HYM4054
相關(guān)搜索: