fng是東芝半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器件,它具有大電流mosfet-h橋結(jié)構(gòu),雙通道電路輸出,可同時(shí)驅(qū)動(dòng)2個(gè)電機(jī)。 tb6612fng每通道輸出最高1.2 a的連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流,啟動(dòng)峰值電流達(dá)2a/3.2 a(連續(xù)脈沖/單脈沖);4種電機(jī)控制模式:正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn)/制動(dòng)/停止;pwm支持頻率高達(dá)100 khz;待機(jī)狀態(tài);片內(nèi)低壓檢測(cè)電路與熱停機(jī)保護(hù)電路;工作溫度:-20~85℃;ssop24小型貼片封裝。 如圖1所示,tb6612fng的主要引腳功能:ainl/ain2、bin1/bin2、pwma/pwmb為控制信號(hào)輸入端;ao1/a02、b01/b02為2路電機(jī)控制輸出端;stby為正常工作/待機(jī)狀態(tài)控制引腳;vm(4.5~15 v)和vcc(2.7~5.5 v)分別為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓輸入和邏輯電平輸入端。 tb6612fng是基于mosfet的h橋集成電路,其效率高于晶體管h橋驅(qū)動(dòng)器。相比l293d每通道平均600 ma的驅(qū)動(dòng)電流和1.2 a的脈沖峰值電流,它的輸出負(fù)載能力提高了一倍。相比l298n的熱耗性和外圍二極管續(xù)流電路,它無需外加散熱片,外圍電路簡(jiǎn)單,只需外接電源
統(tǒng)的硬件進(jìn)行測(cè)試,對(duì)每個(gè)測(cè)試項(xiàng)給出pass或fail的結(jié)果。pass指器件達(dá)到或者超越了其設(shè)計(jì)規(guī)格;fail則相反,器件沒有達(dá)到設(shè)計(jì)要求,不能用于最終應(yīng)用。測(cè)試程序還會(huì)將器件按照它們?cè)跍y(cè)試中表現(xiàn)出的性能進(jìn)行相應(yīng)的分類,這個(gè)過程叫做“binning”,也稱為“分bin”。舉個(gè)例子,一個(gè)微處理器,如果可以在150mhz下正確執(zhí)行指令,會(huì)被歸為最好的一類,稱之為“bin1”;而它的某個(gè)兄弟,只能在100mhz下做同樣的事情,性能比不上它,但是也不是一無是處應(yīng)該扔掉,還有可以應(yīng)用的領(lǐng)域,則也許會(huì)被歸為“bin2”,賣給只要求100mhz的客戶。 程序還要有控制外圍測(cè)試設(shè)備比如 handler 和 probe 的能力;還要搜集和提供摘要性質(zhì)(或格式)的測(cè)試結(jié)果或數(shù)據(jù),這些結(jié)果或數(shù)據(jù)提供有價(jià)值的信息給測(cè)試或生產(chǎn)工程師,用于良率(yield)分析和控制。 正確的測(cè)試方法 經(jīng)常有人問道:“怎樣正確地創(chuàng)建測(cè)試程序?”這個(gè)問題不好回答,因?yàn)閷?duì)于什么是正確的或者說最好的測(cè)試方式,一直沒有一個(gè)單一明了的界定,某種情形下正確的方式對(duì)另一種情況來說不見得最好。很多因素都在影響著測(cè)試行為的構(gòu)建方式,下面我