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fng是東芝半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器件，它具有大電流mosfet-h橋結(jié)構(gòu)，雙通道電路輸出，可同時(shí)驅(qū)動(dòng)2個(gè)電機(jī)。 tb6612fng每通道輸出最高1．2 a的連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流，啟動(dòng)峰值電流達(dá)2a／3．2 a(連續(xù)脈沖／單脈沖)；4種電機(jī)控制模式：正轉(zhuǎn)／反轉(zhuǎn)／制動(dòng)／停止；pwm支持頻率高達(dá)100 khz；待機(jī)狀態(tài)；片內(nèi)低壓檢測(cè)電路與熱停機(jī)保護(hù)電路；工作溫度：-20～85℃；ssop24小型貼片封裝。 如圖1所示，tb6612fng的主要引腳功能：ainl／ain2、bin1／bin2、pwma／pwmb為控制信號(hào)輸入端；ao1／a02、b01／b02為2路電機(jī)控制輸出端；stby為正常工作／待機(jī)狀態(tài)控制引腳；vm(4．5～15 v)和vcc(2．7～5．5 v)分別為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓輸入和邏輯電平輸入端。 tb6612fng是基于mosfet的h橋集成電路，其效率高于晶體管h橋驅(qū)動(dòng)器。相比l293d每通道平均600 ma的驅(qū)動(dòng)電流和1．2 a的脈沖峰值電流，它的輸出負(fù)載能力提高了一倍。相比l298n的熱耗性和外圍二極管續(xù)流電路，它無需外加散熱片，外圍電路簡(jiǎn)單，只需外接電源
統(tǒng)的硬件進(jìn)行測(cè)試，對(duì)每個(gè)測(cè)試項(xiàng)給出pass或fail的結(jié)果。pass指器件達(dá)到或者超越了其設(shè)計(jì)規(guī)格；fail則相反，器件沒有達(dá)到設(shè)計(jì)要求，不能用于最終應(yīng)用。測(cè)試程序還會(huì)將器件按照它們?cè)跍y(cè)試中表現(xiàn)出的性能進(jìn)行相應(yīng)的分類，這個(gè)過程叫做“binning”，也稱為“分bin”。舉個(gè)例子，一個(gè)微處理器，如果可以在150mhz下正確執(zhí)行指令，會(huì)被歸為最好的一類，稱之為“bin1”；而它的某個(gè)兄弟，只能在100mhz下做同樣的事情，性能比不上它，但是也不是一無是處應(yīng)該扔掉，還有可以應(yīng)用的領(lǐng)域，則也許會(huì)被歸為“bin2”，賣給只要求100mhz的客戶。 程序還要有控制外圍測(cè)試設(shè)備比如 handler 和 probe 的能力；還要搜集和提供摘要性質(zhì)（或格式）的測(cè)試結(jié)果或數(shù)據(jù)，這些結(jié)果或數(shù)據(jù)提供有價(jià)值的信息給測(cè)試或生產(chǎn)工程師，用于良率（yield）分析和控制。 正確的測(cè)試方法 經(jīng)常有人問道：“怎樣正確地創(chuàng)建測(cè)試程序？”這個(gè)問題不好回答，因?yàn)閷?duì)于什么是正確的或者說最好的測(cè)試方式，一直沒有一個(gè)單一明了的界定，某種情形下正確的方式對(duì)另一種情況來說不見得最好。很多因素都在影響著測(cè)試行為的構(gòu)建方式，下面我
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