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STD10NM60ND

更新時間:2025-05-19 21:42:42

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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STD10NM60ND外觀圖

STD10NM60ND

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD10NM60ND 概述

STD10NM60ND是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有600V的漏源電壓額定值和10A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少導通損耗，提高系統(tǒng)效率。這款MOSFET常用于開關電源、電機驅動、不間斷電源(UPS)以及工業(yè)控制等需要高效功率轉換的應用場景。在實際使用中，建議采用適當?shù)臇艠O驅動電路以確?？煽块_啟和關閉，避免因開關速度過慢導致的功耗增加。在PCB布局時應盡量縮短源極引腳與地之間的走線長度，并合理布置去耦電容，以優(yōu)化高頻性能并減少電磁干擾。同時要注意散熱設計，可選用合適的散熱器或采用強制風冷等方式來降低結溫，延長器件使用壽命。

STD10NM60ND 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STD10NM60ND View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™ II
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
577pF @ 50V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12239-6

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STD100NH02L
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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