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SPD04P10PL G

更新時間:2025-06-06 02:07:57

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SPD04P10PL G 概述

這是來自STMicroelectronics的一款功率MOSFET。它是一款N溝道增強型功率場效應晶體管，采用DPAK封裝形式。該器件專為高效功率轉換應用而設計，在需要快速開關和低導通電阻的場合表現優(yōu)異。其典型應用場景包括電源管理、DC-DC轉換器以及電機驅動電路等。在使用時應注意根據具體應用選擇合適的柵極驅動電壓，并確保散熱良好以避免過熱損壞。例如在設計一個同步降壓轉換器時，可將其作為低壓側開關使用，搭配合適的控制IC和外圍元件即可構建出一個高效的電源轉換電路。

SPD04P10PL G 規(guī)格參數

數據列表
SPD04P10PL G
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SIPMOS®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
850 毫歐 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 380µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
372pF @ 25V
功率 - 最大
38W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000212231

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