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SPD08P06P G

更新時間:2025-07-19 20:51:48

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數(shù)量
廠商
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詢價

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SPD08P06P G 概述

SPD08P06P G是STMicroelectronics生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能和高速開關(guān)應用，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為60V，適合在需要高效率電源轉(zhuǎn)換的場合使用，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器和電機驅(qū)動電路。在實際應用中，這款MOSFET通常被部署于同步整流電路中，以提高系統(tǒng)整體效率。由于其出色的熱性能和低柵極電荷，可以減少開關(guān)損耗并支持更高的工作頻率。當設計相關(guān)電路時，建議仔細考慮PCB布局以優(yōu)化散熱效果，并確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的電流來實現(xiàn)快速開關(guān)，避免因驅(qū)動不足導致的性能下降。

SPD08P06P G 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
- 60 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
- 8.8 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
300 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
14 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
42 W
上升時間
46 ns
工廠包裝數(shù)量
1
典型關(guān)閉延遲時間
48 ns
零件號別名
SP000450534 SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGXT

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SPD08P06P G
SPD01N50M2
SPD01N60C3
SPD02N50C3
SPD02N60
SPD02N60C3
SPD02N60S5
SR540

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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